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ALD原子层沉积技术应用

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ALD设备:ALD原子层沉积可以满足膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积,这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响,所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性,可以提供优异的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。


ALD设备应用:

  • Oxides氧化物: Al2O3, HfO2, La2O3, SiO2, TiO ZnO, In2O3,etc

  • Nitrides氮化物: AlN, TiN, TaN, etc..

  • Photovoltaic and MEMS applications光伏及MEMS应用.

  • Nano laminates纳米复合材料

  • 高K介质

  • 疏水性涂覆

  • 钝化层

  • 高深宽比扩散阻挡层的铜连接

  • 微流控应用的保形性涂覆

  • 燃料电池中诸如催化层的单金属涂覆 


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