X射线光电子能谱仪的发展

X射线光电子能谱仪，为一种表面分析技术，对材料表面元素及其化学状态进行表征为其主要的用途。使用X射线和样品表面相互作用，通过光电效应，对样品表面进行激发，使光电子发射，光电子动能通过能量分析器加以测量。按照B.E=hv-K.E-W.F，从而使激发电子的结合能（B.E)获得。

发展

1887年，光电效应被海因里希·鲁道夫·赫兹发现。

1905年，光电效应现象被爱因斯坦解释了（并因此获得了1921年的诺贝尔物理学奖）。

1907年，P.D. Innes用伦琴管、亥姆霍兹线圈、磁场半球（电子能量分析仪）和照像平版做实验来对宽带发射电子和速度的函数关系进行记录。实际上，人类di一条X射线光电子能谱就是由他的实验进行记录的。多项实验分别由如亨利·莫塞莱、罗林逊和罗宾逊等其他研究者所独立进行，他们试图将这些宽带所包含的细节内容研究出来。

因为第二次世界大战中止了XPS的研究，在第二次世界大战以后瑞典物理学家凯·西格巴恩和他在乌普萨拉的研究小组在研发XPS设备中获得了多项重大进展。

1954年，氯化钠的首条高能高分辨X射线光电子能谱被获得，XPS技术的强大潜力由此显现了出来。

1967年以后，几年间，就XPS技术，一系列学术成果由巴恩所发表出来，使得XPS的应用被世人所公认。

1969年，在和西格巴恩的合作下，世界上首台商业单色X射线光电子能谱仪被美国惠普公司制造了出来。

1981年，西格巴恩获得诺贝尔物理学奖，以表彰他将XPS发展为一个重要分析技术所作出的杰出贡献。