分子束外延技术的发展

分子束外延系统为一种在物理学、化学、材料科学领域应用的分析仪器。

近十几年来在半导体工艺中发展起来的一项新技术包括分子束外延技术，其在超高真空条件下，类似于真空蒸发镀把构成晶体的各个组分和予掺杂的原子(分子)，通过一定的热运动速度，根据一定的比例由喷射炉中往基片上喷射去进行晶体外延生长而对单晶膜进行制备的一种方法。简称为MBE法。

分子束外延技术的发展

自20世纪60年代末，基于真空蒸镀使得分子束外延产生，有着非常快速的发展，其中之一即为将气态的分子束源引入，使得所谓化学束外延(CBE)构成。InGaAsP等四元材料采用砷烷(AsH3)和磷烷(PH3)生长或者往分子束源引入金属有机化合物使得所谓金属有机化合物分子束外延(MOMBE)形成。此两项技术即为结合MBE和发展很快的金属有机化合物气相沉积(MOCVD)技术，使MBE的生长和控制能力得到进一步的改进。结合分子束外延和脉冲激光，使得所谓激光分子束外延(L-MBE)技术发展成功。然而其为采用激光照射靶来对分子(原子)束源加以替代，使得精确的控制蒸发过程实现起来更加的容易。使得相较于常规分子束外延更加广阔的应用前景被显示了。

分子束外延可能的应用领域：

熔点较低以及挥发性较强的多元化合物半导体薄膜为外延生长所含有，为了在隙宽度方面的调节方面具有优势，需要对化合物成分进行精确地调整。

在岁多元金属间化合物、亚稳态材料方面的研究和发展，激光分子束外延所具有的应用前景相当的广。

特殊层状晶体结构的新型材料通过人工合成所具有，对新型高温超导体或具有特殊性质的新材料进行探索。