-
-
IGBT器件动态参数测试仪器
- 品牌:普赛斯仪表
- 型号: E100/E200/E300
- 产地:武汉
- 供应商报价: ¥ 158888 (市场参考价:¥ 160000)
- 武汉普赛斯仪表有限公司 更新时间:2024-08-15 08:48:31
-
企业性质生产商
入驻年限第3年
营业执照已审核
- 同类产品数字源表(217件)
联系方式:陶女士027-87993690
联系我们时请说明在仪器网(www.yiqi.com)上看到的!
-
为您推荐
- 详细介绍
IGBT简介:
IGBT(绝缘栅双极性晶体管)是常见的功率器件,期间经常使用在强电流高电压的场景中,如电动汽车、变电站等。器件结构由MOSFET及BGT组合而成,兼具了高输入阻抗及低导通压降的优点,IGBT是电力电子设备的“cpu”,被国家列为重点研究对象。
IGBT测试难点:1、由于IGBT是多端口器件,所以需要多个测量模块协同测试。
2、IGBT的漏电流越小越好,所以需要高精度的设备进行测试。
3、IGBT动态电流范围大,测试时需要量程范围广,且量程可以自动切换的模块进行测试。
4、由于IGBT工作在强电流下,自加热效应明显,脉冲测试可以减少自加热效应,所以MOSFET需要进行脉冲IV测试,用于评估期间的自加热特性。
5、MOSFET的电容曲线是其特性表征的重要内容,且与其在高频应用有密切关系。所以IGBT的电容测试非常重要。
6、IGBT开关特性非常重要,需要进行双脉冲动态参数的测试。
IGBT器件动态参数测试仪器简介
高电压源测单元具有输出及测量电压高(3000V)、能输出及测量微弱电流信号(1nA)的特点。设备工作在第一象限,输出及测量电压0~3000V,输出及测量电流0~100mA。支持恒压恒流工作模式,同时支持丰富的I-V扫描模式。
技术指标
电压性能参数:
电压
源
测量
量程
分辨率
准确度±(% rdg.+volts)
分辨率
准确度±(% rdg.+volts)
100V
10mV
0.1%±40mV
10mV
0.1%±40mV
600V
60mV
0.1%±100mV
60mV
0.1%±100mV
1000V
100mV
0.1%±300mV
100mV
0.1%±300mV
1500V
150mV
0.1%±400mV
150mV
0.1%±400mV
2200V
220mV
0.1%±700mV
200mV
0.1%±700mV
3000V
300mV
0.1%±900mV
300mV
0.1%±900mV
电流性能参数:
电流
源
测量
量程
分辨率
准确度±(% rdg.+volts)
分辨率
准确度±(% rdg.+volts)
1uA
100pA
0.1%±1nA
100pA
0.1%±1nA
10uA
1nA
0.1%±5nA
1nA
0.1%±5nA
100uA
10nA
0.1%±50nA
10nA
0.1%±50nA
1mA
100nA
0.1%±300nA
100nA
0.1%±300nA
10mA
1uA
0.1%±5uA
1uA
0.1%±5uA
100mA
10uA
0.1%±10uA
10uA
0.1%±10uA
应用领域:
用于IGBT击穿电压测试,IGBT动态测试母线电容充电电源、IGBT老化电源,防雷二极管耐压测试,压敏电阻耐压测试等场合。其恒流模式对于快速测量击穿点具有重大意义。
IGBT器件动态参数测试仪器订货信息
型号
E100
E200
E300
源精度
0.1%
0.1%
0.1%
测量精度
0.1%
0.1%
0.1%
最大功率
100W
220W
300W
最小电压量程
100V
100V
100V
最大电压量程
1000V
2200V
3000V
最小电流量程
1uA
1uA
1uA
最大电流量程
100mA
100mA
100mA
更多有关IGBT器件动态参数测试仪器的信息找武汉生产厂家普赛斯仪表一八一四零六六三四七六
- 产品优势
- IGBT器件动态参数测试仪器具有输出及测量电压高(3000V)、能输出及测量微弱电流信号(1nA)的特点。设备工作在第一象限,输出及测量电压0~3000V,输出及测量电流0~100mA。支持恒压恒流工作模式,同时支持丰富的I-V扫描模式。