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硅探测器

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详细介绍


• 室温型探测器

• 使用范围:200-1100nm

• 两种型号的探测器室的外观相同,其中:

• DT-Si200型内装进口紫敏硅光电探测器

• DT-Si300型内装进口蓝光增强型硅光电探测器


技术指标\型号名称

DT-Si200 紫敏硅探测器

DT-Si300 蓝光增强型硅探测器

进口紫外增强型

进口蓝光增强型

有效接收面积(mm2)

100(Φ11.28)

100(Φ11.28)

波长使用范围(nm)

200-1100

350-1100

峰值波长(nm),典型值

820nm

970nm

峰值波长响应度(A/W)

0.52

0.60(>0.55)

典型波长的响应度(A/W)

0.14(>0.09)@254nm

0.20(>0.15)@410nm

响应时间(μs)

5.9

2

工作温度范围(℃)

-10~+60

-10~+60

储存温度范围(℃)

-20~+70

-20~+70

分流电阻RSH(MΩ)

10(>5)

(>10)

等效噪声功率NEP(W/√Hz)

4.5×10-13

2.0×10-13

*大操作电流(mA@0V bias)

0.1

10.0

结电容(pf@0V bias)

4500

8800

信号输出模式

电流

电流

输出信号极性

正(P)正(P)
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