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铟镓砷探测器(制冷型)

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详细介绍
  • TE制冷型铟镓砷探测器DT-InGaAs(x)-TE 具有相同的外观设计,其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600,均采用进口二级制冷铟 镓砷探测元件。

型号/参数

DT-InGaAs1700-TE

DT-InGaAs2600-TE

光敏面直径(mm)

3

3

波长范围(nm)

800-1700

800-2600

峰值响应度(A/W)

0.9

1.15

D*(典型值)

8.4×1013

4.9×1011

NEP(典型值)

3.2×10-15

5.5×10-13

温控器型号

ZTC

ZTC

探测器温度(℃)

-40

-40

温度稳定度(℃)

±0.5

±0.5

环境温度(℃)

+10~+40

+10~+40

信号输出模式

电流

电流

输出信号极性

正(P)

正(P)

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