High Purity Germanium高纯锗晶体HPGe

HPGe高纯锗晶体

High Purity Germanium Single Crystal P Type

9N,10N,11N,12N,13N

高纯锗晶体概述：


晶体习性与几何描述 该晶体使用直拉法在晶体（100）方向延伸。圆柱形表面（表面光洁度小于2.5 μm RMS）。经红外成像法检测晶体结构稳定可靠。晶体几个结构由直径和长度决定。当一个晶体属于原生态晶体时，其当量直径为：

D ----外形尺寸当量直径
W----锗晶体重量
L-----晶体长度
测量值是四舍五入最小可达到毫米级别。为了便于订单出货，我们会依据晶体的体积、直径和长度进行分类。同时我们可以满足客户的特殊需求，提供定制服务（特殊规格，请参照附件）。

纯度 残留载荷
最大允许净载流子杂质浓度与探头二极管的几个构造有关，请参照如列公式。其纯度依据据霍尔效应测量和计算。
l 同轴探测器
同轴探测器适用于下列公式：

where:
Nmax = 每立方厘米最大杂质含量
VD = 耗尽层电压 = 5000 V
εo = 介电常数 = 8,85 10-14 F/cm
εr = 相对介电常数(Ge) = 16
q = 电子电荷1,6 10-19C (elementary charge)
r1 = 探测器内孔半径
r2 = 探测器外孔半径

纯度 假如晶体表面半径减少2mm,由于锂的漫射和刻蚀，内径8毫米的内孔半径， 适用公式变为：


D = 晶体外表面

平面探测器

平面探测器（厚度小于2厘米）适用于以下公式：



d=探测器外观尺寸厚度

径向分散载荷子（值）

迁移 霍尔迁移

性能 P 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s
N 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s

深能级 P 型晶体 通过深能瞬态测量，Cutot ≤ 4.5*109 cm-3
N 型晶体 通过深能瞬态测量点缺陷 < < 5*108 cm-3


wan美晶体 P型晶体 N型晶体
位错密度 ≤10000 ≤5000
星型结构 ≤3 ≤3
镶嵌结构≤5 ≤5


高纯锗HPGe晶体参数说明：