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IRPD5521Y 型 InGaAs 光电二极管模块( PD/APD/TIA 光谱响应 800-1600nm)

企业性质生产商

入驻年限第3年

营业执照已审核

联系方式：筱晓关经理400-828-1550

联系我们时请说明在仪器网（www.yiqi.com）上看到的!

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详细介绍

总览

筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD)，包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。

我们有高速硅光电二极管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率，其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm。双波段光电二极管，它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上，铟镓砷基底在下)，组合波长范围从400到1700 nm。

为了丰富我们的光电二极管产品线，我们提供已安装的光电二极管便于客户供电即用，探测器有效面积边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应，从而扭曲光电二极管的时域响应。因此，我们建议使光入射在有效面积中心。为此，可以在探测器前放置聚焦透镜或者针孔。

光谱响应

800-1600nm

传输速率

1.25Gbps

技术参数

参数名称	符号	测试条件	最小	典型Typ.	ZD	单位
TIA工作电流	ICC	Vcc=3.3V	-	44	59	mA
反向击穿电压1）	VBR	ID=100μA	35	-	55	V
VBR温度系数	σ	γ= dVBR/dTC	-	0.1	0.15	V/℃
差分跨阻 IRPD5521Y-155 IRPD5521Y-1.25 IRPD5521Y-2.5	ZT	Pin=-30dBm， RL=100Ω,			54 26 3.6	kΩ
-3dB带宽 IRPD5521Y-155 IRPD5521Y-1.25 IRPD5521Y-2.5	f-3dB	Pin=-30dBm			100 1000 2000	MHz
响应度	Re	M=1 , λ = 1.55μm	0.85	0.95	-	A/W
输出阻抗	ZO	Single ended	-	50	70	Ω
灵敏度 IRPD5521Y-155A IRPD5521Y-155P IRPD5521Y-1.25A IRPD5521Y-1.25P IRPD5521Y-2.5A IRPD5521Y-2.5P	PS	λ=1.55μm,NRZ, PRBS=223–1, BER=10-10, ER=10dB, V=Vop	-47 -39 -35 -28 -34 -26	－	－	dBm
过载功率 APD PIN	PMAX	-5 +3	-		-	dBm
光回损	Lo	λ = 1.55μm	-	-	-30	dB
备注：1）仅适用于APD探测器

ZDJD额定值 T=25deg

产品特点

● 传输速率155Mbps/1.25Gbps/2.5Gbps

● 高灵敏度

● 工作波长范围：1260~1650nm

● 单电源供电

● 遵循Telcordia Technoligies GR-468-CORE标准

● RoHS认证RoHS compliant

通用参数

引脚定义