铟镓砷 InGaAs 光电二极管探测器 2.2um扩展型 GPD GAP2000/2.2

参数

GAP2000/2.2

GAP3000/2.2

单位

有效直径

2

3

mm

峰值波长（典型）

2.0 ± 0.1

2.0 ± 0.1

um

截止波长 (50%)

2.2 ± 0.1

2.2 ± 0.1

µm

响应度@ λP(min/typ)

0.9/1.0

0.9/1.0

A/W

分流电阻 (min/typ)

6k/10k

2k/6k

Ω

暗电流(max)

40 @ 1 V

100 @ 1 V

µA

电容 (typ) @ 0 V

4000

8000

pF

带宽 w/ 50 Ω @ 0 V (typ)

0.795

0.397

MHz

上升时间 w/ 50 Ω @ 0 V (typ)

440

881

ns

NEP @ λPEAK (typ)

128 x 10^-14

287 x 10^-14

W/Hz^1/2

线性度 (± 0.2 dB @ 0 V)

6

6

dBm

封装

TO-5

TO-5

参数

GAP2000/2.2

GAP3000/2.2

单位

存储温度

-40 to 125

-40 to 125

℃

工作温度

-40 to 85

-40 to 85

℃

反向电压

1

1

V

反向电流

10

10

mA

正向电流

10

10

mA

功耗

50

50

mW