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InGaAs盖革模式雪崩光电二极管 (内置TEC制冷型)
- 品牌:筱晓光子
- 型号: IGA-APD-GM104-R-TEC
- 产地:黄浦区
- 供应商报价: 面议
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筱晓(上海)光子技术有限公司
更新时间:2024-07-17 13:36:34
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企业性质生产商
入驻年限第3年
营业执照已审核
- 同类产品InGaAs铟镓砷光电二极管(11件)
联系方式:筱晓关经理400-828-1550
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- 详细介绍
总览InGaAs 雪崩光电二极管(APD)是短波近红外单 光子检测的专用器件,可满足量子通信、弱光探测等领 域对高效率低噪声单光子检测的技术需求,实现对0.9 ~ 1.7μm波长的单光子探测。
光谱响应900-1700nm响应度@1550nm 0.85 A/W技术参数线性模式参数
产品型号
IGA-APD-GM104-TEC
参数
符号
单位
测试条件
最小
典型
ZD
反向击穿电压
VBR
V
22℃±3℃ ,ID =10μA
60
80
90
响应度
Re
A/W
22℃±3℃,λ =1550nm ,M =1
0.8
0.85
暗电流
ID
nA
22℃±3℃,M =10
0.1
0.3
电容
C
pF
22℃±3℃ ,M =10, f=1MHz
0.25
击穿电压温度系数
η
V/K
-40℃ ~80℃,ID =10μA
0.15
盖革模式参数
参数
单位
测试条件
最小
典型
ZD
单光子探测效率 PDE
%
-45℃ ,λ =1550nm ,0.1ph/pulse,泊松分布单光子源
20
暗计数率 DCR
kHz
-45℃,1ns门宽,2MHz门控重频,1MHz光重频,PDE=20%
20*
后脉冲概率 APP
-45℃,1ns门宽,2MHz门控重频,1MHz光重频,PDE=20%
1× 10-3
时间抖动Tj
ps
-45℃,1ns 门宽,2MHz门控重频,PDE=20%
100
* 可提供不同等级规格产品
室温IV曲线
DCR-PDE(-45℃, fg=2MHz)
温度系数
电容电压
产品特点● 光谱响应范围0.9~1.7μm
● 高探测效率、低暗计数率
● 6 pin TO8
尺寸规格封装外形、尺寸及引脚定义 TO8 (尾纤封装)
产品应用● 弱光探测
● 量子保密通信
● 生物医疗
- 产品优势
- 光谱响应范围0.9~1.7μm;响应度 @1550nm: 0.85 A/W; 6针TO8 封装;SMF-28E 光纤耦合;FC/APC, 带 TCE
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