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905nm 硅雪崩光电二极管 400-1100nm (光敏面直径:0.23mm TO46)
- 品牌:筱晓光子
- 型号: APD-SI-905-0.23-TO46
- 产地:黄浦区
- 供应商报价: 面议
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筱晓(上海)光子技术有限公司
更新时间:2024-08-12 09:04:37
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企业性质生产商
入驻年限第3年
营业执照已审核
- 同类产品Si硅光电二极管(17件)
联系方式:筱晓关经理400-828-1550
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- 详细介绍
总览硅雪崩光电二极管,光谱响应范围从可见光到近红外,峰值响应波长905nm。大光敏面,高速响应,高增益,低噪声。
技术参数产品特点:
正照平面型芯片结构
高速响应
高增益
低结电容
低噪声
产品应用:
激光测距
激光雷达
激光警告
技术参数:
光电性能(@Ta=22±3℃)
器件型号
光谱响应范
围
(nm)
峰值响
应波长
(nm)
响应度
λ =905nm
φ e =1μW
M=100
(A/W)
暗电流
M=100
(nA)
响应时间
λ =905nm
R L =50Ω
(ns)
工作电压
温度系数
T a =-40℃
~85℃
(V/℃)
总电容
M=100
f=1MHz
(pF)
击穿电压
I R =10μA
(V)
典型
ZD
最小
ZD
GD5210Y-2-2-TO46
400~1100
905
55
0.2
1
0.6
0.9
1.0
130
220
GD5210Y-2-5-TO46
0.4
1
1.2
GD5210Y-2-8-TO46
0.8
2
2.0
GD5210Y-2-2-LCC3
0.2
1
1.0
GD5210Y-2-5-LCC3
0.4
1
1.2
结构/ZDJD额定值
器件型号
封装形式
光敏面直径
(mm)
工作电压
(V)
工作温度
(℃)
储存温度
(℃)
焊接温度
(℃)
正向电流
(mA)
耗散功率
(mW)
GD5210Y-2-2-TO46
TO-46
0.23
0.9×V BR
-40~85
-45~100
260
0.25
100
GD5210Y-2-5-TO46
TO-46
0.50
GD5210Y-2-8-TO46
TO-46
0.80
GD5210Y-2-2-LCC3
LCC3
0.23
GD5210Y-2-5-LCC3
LCC3
0.50
产品型号
名称
型号
描述
价格
货期
硅雪崩光电二极管
GD5210Y-2-2-TO46
光谱响应范围:400-1100nm
峰值响应波长:905nm
光敏面直径:0.23mm
封装:TO46
硅雪崩光电二极管
GD5210Y-2-5-TO46
光谱响应范围:400-1100nm
峰值响应波长:905nm
光敏面直径:0.50mm
封装:TO46
硅雪崩光电二极管
GD5210Y-2-8-TO46
光谱响应范围:400-1100nm
峰值响应波长:905nm
光敏面直径:0.80mm
封装:TO46
硅雪崩光电二极管
GD5210Y-2-2-LCC3
光谱响应范围:400-1100nm
峰值响应波长:905nm
光敏面直径:0.23mm
封装:LCC3
硅雪崩光电二极管
GD5210Y-2-5-LCC3
光谱响应范围:400-1100nm
峰值响应波长:905nm
光敏面直径:0.50mm
封装:LCC3
典型特性曲线
封装外形、尺寸及引脚定义
GD5210Y-2-2/5/8-TO46(三脚和两脚封装)
GD5210Y-2-2/5-LCC3
等效电路及应用电路
注:C 1 -滤波电容,滤除偏置工作电压 V R 的噪声。
C 2 -旁路电容,为交流信号提供对地回路。
R 1 -限流电阻,防止偏置工作电压 V R 过高时,损坏探测器。
R i -取样电阻,将光电流转化为电压信号。
定购信息:
TO 封装形式:
- 产品优势
- 光谱响应范围:400-1100nm
峰值响应波长:905nm
光敏面直径:0.23mm
封装:TO46
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