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Anritsu SLD激光器 840nm
- 品牌:筱晓光子
- 型号: AS8B115L240M
- 产地:黄浦区
- 供应商报价: 面议
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筱晓(上海)光子技术有限公司
更新时间:2024-06-27 17:59:24
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企业性质生产商
入驻年限第3年
营业执照已审核
- 同类产品SLD激光器(光源)(44件)
联系方式:筱晓关经理021-64149583
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- 详细介绍
总览SLD(超辐射发光二极管/SLED)光源提供与激光二极管等效的输出功率和与LED(发光二极管)等效的宽振荡光谱宽度,以及低相干度。由于它发射的光具有相当于激光二极管的窄有源层,因此非常适合进入光纤,并且具有介于LD和LED之间的特性。AS8B系列是为光学相干层析成像(OCT)光源和非相干光学测量设备开发的超发光二极管(SLD)模块。
中心波长1550nm通用参数特点
光纤输出功率高
2 mW(如果IF£120 mA)AS8B112G230M(Δλ:14 nm)
5 mW(如果IF£150 mA)AS8B115G230M(Δλ:14 nm)
5 mW(如果IF£180 mA)AS8B115L240M(Δλ:50 nm)
尾纤:SMF(Φ0.9 mm:尼龙涂层)
FC-APC连接器
14针蝶形组件
监视器PD和TEC(热电冷却器)内置在组件中
低功耗
应用
光学相干层析成像(OCT)
光学传感系统光源
尺寸
吸收ZD额定值
Item
Symbol
Rating
unit
AS8B112G230M
AS8B115G230M
AS8B115L240M
Optical output power
Pf
2.5
6.0
7.0
mW
SLD Forward current
IF
180
220
220
mA
SLD Reverse voltage
VR
2.0
V
PD Reverse voltage
VRD
20
V
Operation case
temperature
TC
-20 to 70
°C
Storage temperature
Tstg
-40 to 85
°C
TEC current
IC
2.0
A
注:超过JDZD额定值可能导致故障。
光纤特性
Item
Min.
Typ.
Max.
unit
Cut-off wavelength
700
730
760
nm
Mode field diameter @850nm
4.5
5.0
5.5
μm
Clad diameter
123.5
125
126.5
μm
Coating diameter
850
-
950
μm
Fiber bending radius
13
-
-
mm
光学特性(TSLD=25°C、TC=25°C)
Item
Symbol
AS8B112G230M
AS8B115G230M
AS8B115L240M
unit
Min.
Typ.
Max.
Min.
Typ.
Max.
Min.
Typ.
Max.
Output power
Pf
2.0
-
-
5.0
-
-
5.0
-
-
mW
Forward voltage
VF
-
2.0
2.5
-
2.0
2.5
-
2.0
2.5
V
Forward current
(BOL)
IF
-
-
120
-
-
150
-
150
180
mA
Center
wavelength
λC
810
830
850
810
830
850
820
840
860
nm
Spectral Width
Δλ
10
14
-
10
14
-
45
50
-
nm
Monitor current
Im
0.2
-
-
0.2
-
-
0.05
-
2.0
mA
注1:每个值在额定输出功率下指定。
注2:监视器电流测量条件(VR=5 V)。
电气特性
Item
Symbol
Condition
Min.
Typ.
Max.
unit
PD dark current
Id
VR=5 V
-
-
0.1
μA
Tracking error
ΔPf
Im=const, Tc=-20 to 70°C
-1.0
-
1.0
dB
Cooler voltage
VC
IF=*EOL, Tc=70°C
-
-
2.5
V
Cooler current
IC
IF=*EOL, Tc=70°C
-
-
1.0
A
Thermistor resistance
Rth
TLD=25°C, B=3900±100K
9.5
10.0
10.5
kΩ
注:BOL:寿命开始/EOL:寿命结束*EOL=BOL×1.2
标准性能
输出功率(Pf)/正向电压(VF)/监控电流(Im)
- 产品优势
- 中心波长1550nm,光功率:5mw,Spectral Half Width:50nm