片材四探针电阻测试仪

片材四探针电阻测试仪1.2.准备好被测物，链接好测试探头，把测试探头接口与主机接口相连接，并锁定，防止松动或接触不良而对测试结果造成影响.

1.3.接通电源，开启电源开关，待仪器液晶显示屏上显示出厂家和产品信息后，如图3，按“显示”键进入，

1.4.进入测试功能界面如图4、图5；如测试方阻时，请选择液晶显示屏又侧对应 的功能按键“方阻”，则进入方阻测试界面；如测试其他材料时，请选择“材料”则进入材料电阻，电阻率，电导率测试仪界面。

1.5.设置好被测物所需之参数，把被测物放于测试治具平台上操作，测试完毕直接显示测试数据。如配置软件，软件操作说明书同安装软件在一起，请注意查看操作步骤.

片材四探针电阻测试仪维护和保养使用者的维护为了防止意外发生，请不要接触机内部件。本机器内部所有的零件，不需使用者的维护。如果机器有异常情况发生，请直接与北广仪器公司厂家联系或其指定的经销商给予维护。使用者的修改使用者不得自行更改机器的线路或零件，如被更改机器后保修则自动失效并且本公司不负任何事故责任。在保修内使用未经我公司认可的零件或附件造成故障也不予保证。如发现送回检修的机器被更改，将机器的电路和零件修复回原来设计的状态，并收取修护费用。测试工作站工作位置工作站的位置选择必须安排在一般人员非必经的处所，使非工作人员选离工作站。如果因为条件限制的安排而无法做到时，必须将工作站与其这它设施隔开并且特别标明“测试工作站”。如果工作站与其它作业站非常接近时，必须特别注意安全的问题。在测试时必须标明“测试执行中，非工作人员请勿靠近” 

输入电源输入：220V±10%  使用频率：50Hz工作场所尽可能使用非导电的工作桌工作台。操作人员和待测物之间不得使用任何金属。操作人员的位置不得有跨越待测物去操作或调整测试仪器的现象。测试场所必须随时保持整齐、干净，不得杂乱无章。测试站及其周边之空气中不能含有可燃气体或在易燃物质。

人员资格

本仪器为精密仪器，必须由训练合格的人员使用和操作。

安全守则

操作人员必须随时给予教育和训练，使其了解各种操作规则的重要性，并依安全规则操作。

衣着规定操作人员不可穿有金属装饰的衣服或戴金属手饰和手表等，这些金属饰物很容易造成意外的感电。

医学规定不能让有心脏病或配戴心律调整器的人员操作。

测试安全程序规定一定要按照规定程序操作。操作人员必须确定能够完全自主掌控各部位的控制开关和功能。

安全要点合格的操作人员和不相关的人员应远离测试区。万一发生问题，请立即关闭电源并及时处理故障原因。

仪器安装要点安装简介本章主要介绍产品的拆封、检查、使用前的准备等的规则。拆封和检查产品是包装在一个使用木箱泡绵保护的包装箱内，如果收到时的包装箱有破损，请检查机器的外观是否有无变形、刮伤、或面板损坏等。如果有损坏，请立即通知制造厂或其经销商。并请保留包装箱和泡绵，以便了解发生的原因。我们的服务中心会帮您解决。在未通知制造厂或其经销商前，请勿立即退回产品。使用前的准备 输入电压输入220V，有稳定的电流和电压环境

使用的周围环境条件

。易燃易爆空气环境            。不稳定的工作台面.

。阳光直射的地方.             。潮湿的地方.

。腐蚀性的空气环境.           。空气污染灰尘重.

储存和运输周围环境仪器可以在下列的条件下储存和运输：

周围温度……………………………………10°到60°C

高度………………………………………………7620公尺（25000英尺）

本机必须避免温度的急剧变化，温度急剧变化可能会使水气凝结于机体内部。

原始包装：请保留所有的原始包装材料，如果机器必须回厂维修，请用原来的包装材料包装。并请先与制造厂的维修中心联络。送修时，请务必将全部的附件一起送回，请注明故障现象和原因。另外，请在包装上注明“易碎品”请小心搬运。

导体材料电阻率测试仪GB/T 11073硅片径向电阻率变化的测量方法提要探针与试样压力分为小于0.3N及0.3 N¯0.8N两种。以下文件中的条款通过本标准的引用商成为本标准的条款。但凡注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括订正的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的新版本。但凡不注日期的引用文件，其新版本适用于本标准。GB/T 1552硅、储单晶电阻率测定直排四探针法样品台和操针架样品台和探针架应符合GB/T152 中的规定。样品台上应具有旋转360"的装置。其误差不大于士5"，测量装置测量装置的典型电路叉图1，范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10A-5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量，但其测量准确度尚未评估。使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外探件，测量两内操针之间的电位差，引人与试样几何形软有关的修正因子，计算出薄层电阻。覆盖膜;导电高分子膜，高、低温电热膜;隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸;金属化标签、合金类箔膜;熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜;电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.

双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.

采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.

双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.