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二手 FEI Helios PFIB 聚焦离子束扫描电子显微镜

品牌：美国FEI
型号： Helios PFIB
产地：美国
供应商报价： ¥ 8000000 （市场参考价：¥ 9990000）

上海爱仪通网络科技有限公司更新时间：2024-06-27 16:20:11

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详细介绍

高吞吐量多尺度材料表征

Thermo Fisher ScientificTM Helios PFIB（原FEI）双束电镜在高吞吐量样品处理和大样品体积3D材料表征方面，是世界上先进的双束电镜平台。Helios PFIB系统结合了创新性的Helios ElstarTM 电子镜筒和高性能的Vion氙等离子体离子镜筒，Helios ElstarTM 电子镜筒利用了UC技术可实现zui高分辨率和zui高衬度成像，而Vion氙等离子体离子镜筒可实现zui快速和zui精确的尺度样品加工。

无论是竖直或倾斜放置的样品，还是截面样品，系统均可确保快速获取精确、清晰的信息。附加的透镜下探测器和电子束减速模式确保了所有信号都被采集到且无信息遗漏。结果获取快速、准确且可重复，这归功于Elstar镜筒先进的自动合轴、恒定功率透镜(更高的热稳定性) 和静电扫描(更高的线性偏转和速度)等独特技术。

Vion PFIB具备高电子束密度，尤其在高电子束流下，确保了高吞吐量磨削性能。与传统镓离子束系统相比，PFIB的离子束流可超过1μA，离子磨削速度大幅度提高，可将磨削时间从几个小时缩短到几分钟。结合先进的气体输送系统，如Thermo Fisher Scientific MultiChem及zui新开发的束化学物质，Vion PFIB可以针对特定材料在更高精度和控制下实现更高吞吐量的离子磨削。

PFIB系统不仅仅可以进行大尺度截面磨削，搭配Thermo Fisher Scientific 原位制样EasyLift纳米操纵系统，其应用空间更广，可以更快、更可靠地制备S / TEM样品。FIB能量低至2keV，确保制备的薄片质量 zui 高，而 E a s y L i f t 全面集成在用户界面中，所有用户都可以快速、轻松地提取大尺寸薄片。

规格参数

电子源
— 肖特基场发射电子枪，灯丝寿命超过1年
— VS-DBS: 安装于透镜的低真空背散射探测器
离子源
— 电感耦合Xe +等离子体(ICP)，> 4000小时 — PFIB离子束流1.5pA至1.3μA 至 400 nA
着陆电压
— 0 V - 30 kV SEM — 2 kV - 30 kV PFIB
SEM分辨率(zui佳工作距离，UC*) — 15 keV下1.0 nm
— 2 keV下1.0 nm
— 1 keV下1.1 nm
— 200 eV下1.0 nm(电子束减速模式)
— 束重合点工作距离
SEM分辨率(zui佳工作距离)
— 15 keV下1.0 nm
— 1 keV下1.6 nm
离子源离子束分辨率(束重合点)
— 15 keV下1.0 nm
— 30 keV下 <25 nm (采用shou选统计方法)
EDS空间分辨率
— 15 keV下1.0 nm
— <30 nm (在打薄样品上)

样品台

高精度五轴驱动样品台，XYR轴压电陶瓷驱动
XY行程 150mm
Z行程10mm
旋转n x 360°(无限制)
倾斜-10°- +60°
倾斜精度0.1°(50°- 54°)
XY重复精度 1μm
zui大样品质量@ 0°倾斜 500g(包括样品托)
zui大样品尺寸:150mm直径，360度旋转(有限旋转情况下可测试更
大样品)
优中心:样品台优中心旋转和倾斜
关键选项

MultiChem化学选项
— 磨削/再沉积:介电蚀刻，聚酰亚胺蚀刻，Dx
— 沉积:导体沉积 – 铂、绝缘体沉积 - IDEP2、碳沉积 GIS化学选项
— 磨削/再沉积:介电蚀刻，聚酰亚胺蚀刻，Dx
— 沉积:导体沉积 – 铂、绝缘体沉积 – IDEP3、SEM碳沉积 — 硅挖槽选项，带同轴喷嘴用于高速挖槽和制样

软件

• Auto Slice&ViewTM
• EBS3TM、EDS3TM
• Synopsys Camelot CAD Navigation

硬件

• EBSD 分析*

• EDX 分析*

• NavCam+

• 红外显微镜

• 块体硅挖槽