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冠乾科技 纳米压印胶 正性光刻胶 负性光刻胶 显影液 去胶液

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曝光

应用

特性

对生产量的影响

i线曝光用粘度增强负胶系列

在设计制造中替代基于聚异戊二烯双叠氮(Polyioprene-Bisazide)的负胶。

在湿刻和电镀应用时强大的粘附力;很容易用去胶液去除。     单次旋涂厚度范围如下:﹤0.1~200 μm可在i、g以及h-line波长曝光

避免了基于有机溶剂的显影和冲洗过优于传统正胶的优势:控制表面形貌的优异线宽 任意甩胶厚度都可得到笔直的侧壁
单次旋涂即可获得200 μm胶厚
厚胶同样可得到优越的分辨率
150 ℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间
优异的感光度进而增加曝光通量
更快的显影,100 μm的光刻胶显影仅需6 ~ 8分钟光刻胶曝光时不会出现气泡
可将一种显影液同时应用于负胶和正胶
不必使用增粘剂如HMDS

g和h线曝光用粘度增强负胶系列

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