CdZnTe晶体基片

产品简介：

CdZnTe晶体是一种闪烁矿结构的连续固溶体，改变Zn的组分，其晶格常数在0.6100 -0.6482urn之间连续可调，能与不同波段的HgCdTe晶格常数精确匹配。因此CdZnTe晶体是目前公认的**HgCdTe衬底。

产品特点：

• 良好的导电性能；

• 广发可调和直接带隙

• 较高的吸收系数；

• 与HgCdTe外延膜的晶格匹配性好；

• 温和的热膨胀性；

技术参数：

晶体名称Cd 1-x ZnxTe

生长方法Bridgeman

结构立方

晶格常数(A)a=6.486

密度 ( g/cm3)5.851

熔点 (oC)1045

热容 (J /g.k)0.210

热膨胀系数(10-6/K)5.0

类型P-型组成y=4±0.5%

红外透过率>60% (2um-25um)

腐蚀坑密度<1e5

X射线摇摆曲线半峰宽<30弧秒

产品规格：

常规晶向：<111> 或者<211>,B面，±0.5度

尺寸：15x15mm;15x20mm;20x20mm;

20x25mm;25x30mm;30x30mm;

厚度1mm。

注：可按客户要求定制特殊的方向和尺寸。