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热电性能分析系统 ZEM-5

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热电性能分析系统 ZEM-5



说明:此产品售前技术交流服务和售后技术服务由北京柯锐欧科技负责,确保国内用户享受到最专业的技术支持!


技术特点:


  • 适用于研究开发各种热电材料和薄膜材料,提高测量精度

  • 温度检测采用C型热电偶,最适合测量Si系列热电材料(SiGe, MgSi等) *HT型

  • 真正可测基板上的纳米级薄膜(TF型)

  • 最大可测10MΩ高电阻材料

  • 标准搭载欧姆接触自我诊断程序并输出V/I图表

  • 基于日本工业标准JIS (热电能JIS 电阻率JIS R 1650-2)




ZEM-5HT

ZEM-5HR

ZEM-5LT

ZEM-5TF

特  点

高温型

高电阻型

最大电阻:10MΩ

低中温型

薄膜型

可测在基板上形成的热电薄膜

温度范围

RT-1200℃

RT-800℃

-150℃-200℃

RT-500℃

样品尺寸

直径或正方形:2 to 4 mm2

长度3 ~ 15mm

成膜基板:宽2-4mm,厚0.4-12mm,长20mm

薄膜厚度:≥nm量级

薄膜样品与基板要求绝缘

控温精度

±0.5K

测量精度

塞贝克系数:<±7%;     电阻系数:<±7%

测量原理

塞贝克系数:静态直流电; 电阻系数:四端法

测量范围

塞贝克系数:0.5μV/K_25V/K 电阻系数:0.2Ohm-2.5KOhm/10MΩ

分辨率

塞贝克系数:10nV/K; 电阻系数:10nOhm

气  氛

减压He


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