立积电子RICHWAVE行动通讯开关RTC8612H

行动通讯开关RTC8612H立积电子RICHWAVE

立积电子在4G/LTE智慧型手机市场，提供低插损、高隔离度及低谐波特点高效能一系列RF开关。立积电子的SOI/CMOS 开关可应用於主天线及分集天线射频信号切换，开关涵盖由SPDT至复杂的SP8T。

立积电子LTE开关主要的产品优势:

功率承受能力涵盖中功率(+20 dBm)到高功率 (> +36dBm)

高隔离度 +25dB ~ +50dB

高线性度性能，有效提升TBR及降低谐波失真

LTE Tx/Rx Switch for 2G/3G or 4G LTE (TDD/FDD) Antenna Diversity

SPDT型号如下：

RTC8612H

RTC8612HE

RTC8612RX

RTC8612RH

RTC8612S

RTC8612FR

RTC8612

SP3T型号如下：

RTC56373R

RTC8613

RTC8613M

RTC56373

SP4T型号如下：

RTC26801

RTC8614U

RTC8614

SP6T型号如下：

RTC8616LR

RTC8616DX

RTC8616

SP8T型号如下：

RTC8618LR

RTC8618DX

RTC8618

DP4T型号如下：

RTC8624