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分子束外延系统
分子束外延系统就是在超高真空系统中把所需要的结晶材料放入到喷射炉中,将喷射炉加热。使结晶材料形成分子束,从炉中喷出后,沉积在温度保持在几百度的单晶基片上。分子束外延系统利用分子束外延不仅制取了双质结激光器、三维介质集成光波导,还可以用此法使二种光波导重叠地生长在同一基片上,制成了从一个波导移向另一个波导的锥形辋合器,其耦合系数接近于100%。-
分子取向特征测量系统 C14234-11 品牌:日本滨松
型号:C14234-11
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脉冲激光分子束外延系统 品牌:美国PVD
型号:PLD-MBE-2100
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德国分子束外延 Laser MBE 品牌:美国SVT Associates
型号:LaserMBE
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德国MBE-Komponenten 分子束外延系统OCTOPLUS 400 品牌:德国MBE-Komponenten
型号:OCTOPLUS 400
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美国SVT超高真空解理机/解理镀膜机 WP-15 品牌:美国SVT Associates
型号: WP-15
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分子取向特征测量系统 C14234-11
- 品牌:日本滨松
- 型号: C14234-11
- 产地:日本
为了开发GXOLED器件,光提取效率的提高被认为是重要的参数,研究人员已经意识到控制和评估OLED器件的分子取向的重要性。 C14234-11具有多通道分析仪PMA-12测量荧光光谱的功能,以及p偏振荧光与新设计的光学系统的角度依赖性。
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德国MBE-Komponenten 分子束外延系统OCTOPLUS 400
- 品牌:德国MBE-Komponenten
- 型号: OCTOPLUS 400
- 产地:德国
OCTOPLUS 400 是一款通用型MBE系统,非常适合于III/V族, II/VI族,及其他复合半导体材料应用。兼容2-4英寸标准晶片。竖直分割式腔体设计,可以装配各种源炉,实现不同材料分子束外延生长。
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美国SVT超高真空解理机/解理镀膜机 WP-15
- 品牌:美国SVT Associates
- 型号: WP-15
- 产地:美国
SVT公司的样品解理部件可以将15mm(其他尺寸可选)的方形样品解理成15个1mm×15mm的Bar条。所有解理出的bar条被收集到样品托,堆叠在一起进行下一步批量加工。独特设计的解理工具避免了器件被破坏以及样品互相黏在一起的可能性。此解理工具可完全适用于UHV环境。解理机可以增加钝化层沉积模块。解理后堆叠在一起的Bar条直接进入钝化室,不用暴露大气。 规格在线bar条解理加工15mm×15mm 样品(10mm-32mm可选)加工成15mm×1mm 样品(1mm-5mm宽度可选)8'
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MC-LMBE / PAC-LMBE 激光分子束外延系统
- 品牌:日本帕斯卡
- 型号: MC-LMBE/PAC-LMBE
- 产地:日本
激光分子束外延(Laser MBE)是上个世纪90年代发展起来的一种新型高精密制膜技术,它集PLD的制膜特点和传统MBE的超高真空精确控制原子尺度外延生长的原位实时监控为一体,除保持了PLD方法制备的膜系宽,还可以生长通常的半导体超晶格材料,特别适合生长多元素、高熔点、复杂层状结构的薄膜,如超导体、光学晶体、铁电体、压电体、铁磁体以及有机高分子等。
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德国分子束外延 Laser MBE
- 品牌:美国SVT Associates
- 型号: LaserMBE
- 产地:美国
Laser MBELaser MBE特点模块化概念,Laser MBE可以轻松升级到ZY传输模块或其他模块UHV PLD主腔室、利用Load-lock实现衬底和靶材的UHV传输先进的工艺自动化功能,可实现超晶格生长温度测量准确的耐氧衬底加热器,ZG1000 ℃,也可以选配激光加热靶台可以屏蔽交叉污染,传输整个carrousel而非单个靶材真空腔室利于系统升级。
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SVT RHEED及图像获取系统
- 品牌:美国SVT Associates
- 型号: RHEED
- 产地:美国
反射高能电子衍射仪是MBE制程的一部分。在薄膜沉积过程中,RHEED给客户提供了重要的信息。 首先,RHEED图像表征样品表面的状态。 其次,其强度震荡可以提供生长速率的量化数据。 RHEED提供了清晰的焦点,以及衍射图样,并能够在屏幕上高亮度显示。 电子光学部件有磁性保护罩,便于提高操作性。 可选部件:RHEED图像分析硬件和软件系统,可以实时获取RHEED图样,使用户便于观察和控制薄膜生长质量。完整的RHEED系统包括 10KeV RHEED电子束源,电源及配套光缆。技术参数:束流电
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美国SVT RF等离子源/射频等离子源
- 品牌:美国SVT Associates
- 型号: 2.75
- 产地:美国
美国SVT公司的RF等离子源适用于多个公司多种型号。 法兰接口包括: 2.75''、4.5''、6''。 等离子源用于离解双原子氮、氧和氢。离解过程中不会产生高能离子。 产生的束流含有零离子,有助于生长高质量的薄膜,也可以在不损伤衬底表面的情况下清洗衬底。 高生长率等离子体源能够在生长速率大于4μm/hr的情况下生长高质量的薄膜。 光阑和等离子腔形状可以顾客定制,以满足客户对不同流量的需
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SVT工艺监控仪 AccuFlux
- 品牌:美国SVT Associates
- 型号: AccuFlux
- 产地:美国
AccuFlux 工艺监控仪是非侵入式在线束流监控仪并配有原子吸收谱仪。利用各元素特定的照射灯,AccuFlux 还可测量固态源及气态源的气相束流密度。此监控仪可同时监控4种材料。独特的光学和电子设计,使速率精度<0.002nm/s。AccuFlux 具有自参考和自对准功能,即使仪器出现移位也不会影响监测。 AccuFlux 工艺监控仪可用在MBE及MOCVD上测量绝大多数材料。远程控制装置做为可选部件,是生产型应用的理想选择。此装置可提供挡板及源控制的信息实时反馈。不论生长设备上源(cell
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脉冲激光分子束外延系统
- 品牌:美国PVD
- 型号: PLD-MBE-2100
- 产地:美国
脉冲激光分子束外延系统(PLD MBE)凭借着优异的性能, PVD公司生产的脉冲激光沉积分子束外延系统在国内外拥有较多用户,为众多老师开启薄膜外延制备的新篇章。欢迎前来参观咨询。PVD公司是美国主要制造商,是一家专业从事脉冲激光沉积分子束外延(PLD MBE)和超高真空薄膜沉积系统及组件的设计和制造的公司,提供超高真空薄膜沉积系统,应用于分子束外延、UHV溅射和脉冲激光沉积。产品主要集中在小型研究开发系统,其应用主要包括:用分子束外延进行半导体材料、ZnO、GaN、SiGe和金属/氧化物外延生长;UH
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电子束蒸发源控制器
- 品牌:北京中科艾科米
- 型号: EBC103-2K-S1
- 产地:怀柔区
主要特点 基于嵌入式ARM+Linux操作平台 • 高度集成化设计 • 7''LCD触摸显示 • 实时束流显示 • 可独立高压电源 • 远程控制及诊断 • U盘一键固件升级 • 多种接口类型:USB,Ethernet • GX风冷,智能风扇控制 多种工作模式 • 手动/恒高压/恒发射电流/恒功率/恒束流 各模式一键切换 ZL束流转换器 • 直接安装在蒸发源上,可zui小化噪音及误差 • 内置放大器及数字变换器 • 超大束流检测范围:100pA~1mA, 自动量程变换 • 超低噪音:<1pA/√Hz
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美国SVT MBE分子束外延设备/MBE
- 品牌:美国SVT Associates
- 型号: SVT-35等
- 产地:美国
美国SVT公司MBE分子束外延系统美国SVT公司是世界ding级的MBE供应商,具有20年的MBE设备制造经验。数位核心工程师拥有25年以上的MBE经验。占据美国主要科研市场的SVT分子束外延系统,以其专业化的超高真空技术和薄膜生长技术搏得了广大客户的青睐。SVT公司拥有独立的应用实验室,可以为客户提供完善的工艺技术服务。和客户之间建立共同研发及合作的技术平台。SVT公司建立完善的售后服务体系。在北京、香港、美国总部都有服务工程师。型 号应 用样 品 尺 寸35-4III-V, 或其他化合物半导体4’
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美国SVT超高真空解理机/解理镀膜机
- 品牌:美国SVT Associates
- 型号: WP-15
- 产地:美国
美国SVT公司超高真空解理机SVT公司的样品解理部件可以将15mm(其他尺寸可选)的方形样品解理成15个1mm×15mm的Bar条。所有解理出的bar条被收集到样品托,堆叠在一起进行下一步批量加工。独特设计的解理工具避免了器件被破坏以及样品互相黏在一起的可能性。此解理工具可完全适用于UHV环境。解理机可以增加钝化层沉积模块。解理后堆叠在一起的Bar条直接进入钝化室,不用暴露大气。规格在线bar条解理加工15mm×15mm 样品(10mm-32mm可选)加工成15mm×1mm 样品(1mm-5mm宽度可选)
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美国SVT 在线阴极荧光光谱仪/In-Situ CL
- 品牌:美国SVT Associates
- 型号: SVTA-CL
- 产地:美国
此在线CL系统是监控MBE生长过程的理想选择。 CL可以放置在独立的观察窗位置。 通过RHEED枪以及敏感的光学探测系统,CL可以实时提供材料组分的准确信息,并进行实时光学分析。 部件有8''的前后移动容域度,避免与其他部件相互干扰。 CL通过电子激发技术调节电子能量,可以检测较深的薄膜表面信息。 与其配套的Windows软件操作系统,可以实现操作自动化及图谱分析。特点一个端口可以同时监测薄膜成分和光学分析掺杂水平信息部件可前后移动,使部件间相互干扰最小化全电脑控制及分析光谱范围 200-9
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电子束蒸发源
- 品牌:北京中科艾科米
- 型号: EBE35C
- 产地:怀柔区
主要特点 超高真空兼容 蒸发温度zui高可达3000℃ 精确的线性推进:0.01mm精度,25mm行程,ZL设计 内置挡板,不受空间限制完全打开 可靠的束流监控,有效避免外界电磁场影响 填料方便快速
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中温蒸发源
- 品牌:北京中科艾科米
- 型号: RHE35A1-M1M210-K
- 产地:怀柔区
主要特点 Ø 超高真空兼容 Ø 优异的温度和束流稳定性 Ø GX的水冷设计 Ø 多样的灯丝设计,可满足不同升温需求 Ø 坩埚容积zuida可达10cc
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低温蒸发源
- 品牌:北京中科艾科米
- 型号: RHE100A1-L1M210-K
- 产地:怀柔区
主要特点 超高真空兼容 GX的水冷设计 低温下精确控温 坩埚容积zuida可达155cc
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裂解蒸发源
- 品牌:北京中科艾科米
- 型号: TCC100A1-1M400-K
- 产地:怀柔区
主要特点 超高真空兼容 优异的温度和束流稳定性 独立式的水冷结构,源与水冷可单独拆卸 适用于腐蚀材料的蒸发 低温区和裂解区之间具有良好的隔热性 坩埚容积zuida可达1000cc
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电子束蒸发源
- 品牌:北京中科艾科米
- 型号: EBE35A1-H1M210-K
- 产地:怀柔区
主要特点 超高真空兼容 蒸发温度zui高可达3000℃ 精确的线性推进:0.01mm精度,25mm行程,ZL设计 内置挡板,不受空间限制完全打开 可靠的束流监控,有效避免外界电磁场影响 填料方便快速
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多功能温度控制器
- 品牌:北京中科艾科米
- 型号: MTC
- 产地:怀柔区
主要特点 7” LCD触摸显示 双路输出、双路控温、四路测温可选 PID自动控制,带自整定 可编程直流压源 多种工作模式 • 手动模式 • 恒温模式 • 曲线模式 远程控制及诊断 多种接口类型:USB,Ethernet U盘一键固件升级 产品应用 裂解源和蒸发源温度控制 其他电阻式加热设备:如烘箱,熔化炉等 可编程直流电源
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中温蒸发源
- 品牌:北京中科艾科米
- 型号: RHE100A1-M1M210-K
- 产地:怀柔区
● 超高真空兼容 ● 优异的温度和束流稳定性 ● 独立式的水冷结构,源与水冷可单独拆卸 ● 多样的灯丝设计,可满足不同升温需求 ● 坩埚容积可达155cc
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膜厚控制仪/监测仪
- 品牌:北京中科艾科米
- 型号: QCM
- 产地:怀柔区
●7寸彩色触控屏 ●可实现多达6路同时监测/控制 ●曲线显示膜厚,生长速率及质量(MASS) ●高稳定基准,高精度 ●测试数据一键保存 ●远程控制和诊断,支持固件升级 ●多层膜工艺流程控制,支持共沉积
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碱金属蒸发源
- 品牌:北京中科艾科米
- 型号: AME
- 产地:怀柔区
主要特点 超高真空兼容 安装3个独立的碱金属源 产品应用 适用于蒸发各种碱金属(Li , Na , K , Rb , Cs)
- 分子束外延系统
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