云南某实验室采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 射频磁控溅射沉积方法在不同温度的 Si(100)衬底和石英衬底上制备了富硅 SiNx 薄膜, 用于研究硅量子点 SiN 薄膜的光谱特性. 该实验目的是优化含硅量子点的 SiNx 薄膜的制备参数, 在硅基光电子器件的应用方面有重要意义.
伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:
离子源型号 | RFICP220 |
Discharge | RFICP 射频 |
离子束流 | >800 mA |
离子动能 | 100-1200 V |
栅极直径 | 20 cm Φ |
离子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 10-40 sccm |
通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型压力 | < 0.5m Torr |
长度 | 30 cm |
直径 | 41 cm |
中和器 | LFN 2000 |
* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量
实验室采用 Fourier 变换红外光谱、Raman 光谱、掠入射 X 射线衍射和光致发光光谱对退火后的薄膜样品进行了表征.
KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.
因此, 该研究项目才采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射沉积工艺.
伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.
河北某大学实验室在研究 IGZO 薄膜的特性试验中采用伯东 KRI
河北某大学实验室在研究 IGZO 薄膜的特性试验中采用伯东 KRI
沈阳某大学课题组采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 
上海某大学实验室采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 ,
国内某大学采用双 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 作为溅射源分别溅射
WS2 作为一种固体润滑材料, 有着类似“三明治”层状的六方晶体结构, 由于通过微弱范德华力结合的S—
我们使用的霍尔离子源阳极电流不稳定,阳极电流不稳定导致气体通入量也不稳定,正常情况下气体通入是从Z大设定值
我们实验室买的GCMS是安捷伦的7890/5975C,前两天使用的时候发现质谱图出现了一点问题,调谐也不对
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GCms开机为什么离子源温度上升? 你好,可以检查一下所有离子源的线,重新接一下试试。也有可能是传感器故