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光子引线键合是一种使用细金属线，利用热、压力、超声波能量为使金属引线与基板焊盘紧密焊合，实现芯片与基板间的电气互连和芯片间的信息互通。在理想控制条件下，引线和基板间会发生电子共享或原子的相互扩散，从而使两种金属间实现原子量级上的键合。

键合的失效

焊盘产生弹坑(Cratering)这是一种超声键合中常见的一种缺陷，指焊盘金属化下面的半导体玻璃或者其他层的破坏。像一块草皮形状，更一般的是难以肉眼看得见。它会影响电性能。原因有多种：过高的超声能导致Si晶格点阵的破坏积累、太高或者太低的键合压力(wedge) 、球太小导致坚硬的键合头接触了焊盘。1.3微米厚的焊盘发生破坏的可能性小，小于0.6微米厚的焊盘容易破坏。丝线和焊盘硬度匹配可达到Z 优的效果，在AI的超声键合中，丝线太硬容易导致弹坑的产生。

键合点开裂和翘起：键合点的后部过分地被削弱，而前部过于柔软会导致开裂。在弧度循环中丝线太柔软也是一个导致这种现象产生的原因。这种开裂常常发生在AI楔形键合第 一点和球形键合的第二点。

键合点尾部不一致：丝线的通道不干净、丝线的进料角度不对、劈刀有部分堵塞、丝线夹太脏、不正确地丝线夹距或者夹力、丝线张力不对等。尾部太短会导致键合力加在过小的面积上，产生较大的变形;太长又会导致焊盘间的短路。

键合点剥离：当键合头将丝线部分拖断而不是截断的时候会发生这种情况。常常由于工艺参数选择不对或者是工具已经老化失效的原因。

引线框架腐蚀：镀层污染过多和较高的残余应力会导致这种腐蚀。例如42号合金或者铜上镀Ni就会发生中问题；在组装过程中，引脚弯曲会产生裂纹，并暴露在外部腐蚀条件下，同时应力腐蚀导致的裂纹也会萌生；在一定温度、湿度和偏压下，腐蚀就会因为污染、镀层中的孔隙等而发生。

键合的可靠性失效

IMC形成：金属间化合物一般包含2种以上的金属元素。它随着时间和温度的增加而长大，容易导致机械和电性能的破坏。主要原因是柯肯达尔空洞和IMC的生长密切相关。空洞在键合点下面会导致电阻的升高和弱化机械强度。

丝线弯曲疲劳：键合点根部容易发生微裂纹。器件在使用中，这种微裂纹在丝线的膨胀和收缩下回沿丝线扩展。丝线的弯曲会导致键合点根部应力的方砖，Z 后导致疲劳失效。

键合点翘起：键合过程中,键合点的颈部容易发生断裂，导致电气失效。

键合点腐蚀：腐蚀容易导致电气短路和断路；腐蚀是在潮气和污染条件下发生。

金属迁移：从键合焊盘处的枝晶生产是IC一种失效机制；本质上一种电解过程，在金属、聚集的水、离子群以及偏压的存在下，金属离子从阳极区迁移到阴极区。

振动疲劳：一般振动疲劳的失效发生在超声清洗中，建议频率为20-100kHz。