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离子刻蚀机 10IBE 用于多晶黑硅损伤去除与钝化性能研究
发布:伯东企业(上海)有限公司浏览次数:134南京某材料科学学院结合 SiO2 纳米球掩膜与立柱刻蚀技术制备了结构呈周期性排列的多晶黑硅, 利用 hakuto 离子刻蚀机 10IBE 去除由荷能离子撞击所带来的损失层, 优化了多晶黑硅结构.
Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 技术参数:
基板尺寸
< Ф8 X 1wfr
样品台
直接冷却(水冷)0-90 度旋转
离子源
16cm 考夫曼离子源
均匀性
±5% for 4”Ф
硅片刻蚀率
20 nm/min
温度
<100
Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 160
伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC160 技术参数:
离子源型号
离子源 KDC 160
Discharge
DC 热离子
离子束流
>650 mA
离子动能
100-1200 V
栅极直径
16 cm Φ
离子束
聚焦, 平行, 散射
流量
2-30 sccm
通气
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力
< 0.5m Torr
中和器
灯丝
Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 真空腔采用 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 · 10-7 hpa, 良好的保持真空腔的真空度.
采用 Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 可以去除损伤层, 保持原有黑硅结构的基础上使表面结构更加光滑.
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2021-09-01相关仪器 -
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