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Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 用于铁电薄膜研究
发布:伯东企业(上海)有限公司浏览次数:162Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 运用于铁电薄膜研究
某研究所在 PZT 铁电薄膜的电学性能研究中运用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE.
Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 技术参数:
基板尺寸
< Ф8 X 1wfr
样品台
直接冷却(水冷)0-90 度旋转
离子源
16cm 考夫曼离子源
均匀性
±5% for 4”Ф
硅片刻蚀率
20 nm/min
温度
<100
Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 160
伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC160 技术参数:
离子源型号
离子源 KDC 160
Discharge
DC 热离子
离子束流
>650 mA
离子动能
100-1200 V
栅极直径
16 cm Φ
离子束
聚焦, 平行, 散射
流量
2-30 sccm
通气
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力
< 0.5m Torr
中和器
灯丝
Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 真空腔采用 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 · 10-7 hpa, 良好的保持真空腔的真空度.
研究表面采用伯东 Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 刻蚀工艺后, PZT薄膜的铁电性能几乎能恢复到蚀刻前, 如矫顽场值、漏电流、疲劳性能等, 铁电性能会得到更好的改善.有利于提高贴点存储密度, 降低生产成本.
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2021-09-01相关仪器 -
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