仪器网(yiqi.com)欢迎您!

| 注册
网站首页-资讯-专题- 微头条-话题-产品- 品牌库-搜索-供应商- 展会-招标-采购- 社区-知识-技术-资料库-方案-直播- 视频
上海沃埃得贸易有限公司
主营产品:
认证会员 第 9 年

上海沃埃得贸易有限公司

认证:工商信息未核实
仪企号 
上海沃埃得贸易有限公司
产品中心
 
当前位置:首页>产品中心>MMR变温变磁场霍尔效应测试仪器
MMR变温变磁场霍尔效应测试仪器
  • 品牌:MMR
  • 型号:K2500
  • 产地:美洲 美国
  • 供应商报价:面议
在线留言
技术参数
品牌: MMR 型号: K2500
详细介绍
1.名称: 霍尔效应测试仪
2.功能描述: 测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数
3.设备明细:
3-1 测试范围: Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数
3-2 磁场:
3-2-1 磁场强度: 0.5T 电磁体 (0.5T 永磁体 / 1.4T 电磁体 两种磁场可选)
3-2-2 磁场类型: 电磁体
3-2-3 磁场均匀性: 磁场不均匀性<±1 %
3-3 测试样品:
3-3-1 样品测试仓: 全封闭、带玻璃窗口
3-4 温 度:
3-4-1 温度区域: 80K ~730K
3-4-2 温控精度: 0.1K
3-4-3 温控稳定性: ±0.1 K
3-5 电阻率范围: 10-6~1013 Ohm*cm
3-6 电阻范围: 10 m Ohms~ 10G Ohms
3-7 载流子浓度: 102~1022cm-3
3-8 迁移率: 10-2~109 cm2/volt*sec
3-9 输入电流:
3-9-1 电流范围: 0.1 pA~10mA
3-9-2 电流精度: 2%
3-10 输入电压:
3-10-1 电压范围: ±2.5V,最小可测到6×10-6V
3-10-2 电压分辨率: 3×10-7V
3-10-3 电压精度: 2%

相关资料

在线留言

换一张?
取消