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原子层量级的极高灵敏度
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百毫秒量级的快速测量
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简单方便的仪器操作
- Z轴高度调节：±6.5mm
- 二维俯仰调节：±4°
- 样品对准：光学自准直和显微对准系统
- 透明薄膜可达4000nm
- 吸收薄膜则与材料性质相关
- 水平XY轴调节平移台
- 真空吸附泵
- 中英文界面可选；
- l多个预设项目供快捷操作使用；
- l单角度测量/多角度测量操作和数据拟合；
- 方便的数据显示、编辑和输出
- 丰富的模型和材料数据库支持
- 高稳定性的He-Ne激光光源、先进的采样方法以及低噪声探测技术，保证了高稳定性和高准确度
- 高精度的光学自准直系统，保证了快速、高精度的样品方位对准
- 稳定的结构设计、可靠的样品方位对准，结合先进的采样技术，保证了快速、稳定测量
- 分立式的多入射角选择，可应用于复杂样品的折射率和厚度的测量
- 一体化集成式的仪器结构设计，使得系统操作简单、整体稳定性提高，并节省空间
- 一键式软件设计以及丰富的物理模型库和材料数据库，方便用户使用
详细介绍
EMPro是针对高端研发和质量控制领域推出的极致型多入射角激光椭偏仪。
EMPro可在单入射角度或多入射角度下进行高精度、高准确性测量。可用于测量单层或多层纳米薄膜样品的膜层厚度、折射率n和消光系数k；也可用于同时测量块状材料的折射率n和消光系数k；亦可用于实时测量快速变化的纳米薄膜动态生长中膜层的厚度、折射率n和消光系数k。多入射角度设计实现了纳米薄膜的厚度测量。
EMPro采用了量拓科技多项ZL技术。
特点：
应用：
EMPro适合于高精度要求的科研和工业产品环境中的新品研发或质量控制。EMPro可用于测量单层或多层纳米薄膜层构样品的薄膜厚度、折射率n及消光系数k；可用于同时测量块状材料的折射率n和消光系数k；可用于实时测量快速变化的纳米薄膜的厚度、折射率n和消光系数k。EMPro可应用的纳米薄膜领域包括：微电子、半导体、集成电路、显示技术、太阳电池、光学薄膜、生命科学、化学、电化学、磁介质存储、平板显示、聚合物及金属表面处理等。可应用的块状材料领域包括：固体（金属、半导体、介质等），或液体（纯净物或混合物）。
技术指标：
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项目 |
技术指标 |
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仪器型号 |
EMPro31 |
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激光波长 |
632.8nm (He-Ne Laser) |
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（1）膜层厚度精度 |
0.01nm (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层) |
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（1）折射率精度 |
1x10-4(对于Si基底上100nm的SiO2膜层) |
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单次测量时间 |
与测量设置相关，典型0.6s |
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结构 |
PSCA（Δ在0°或180°附近时也具有极高的准确度） |
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激光光束直径 |
1mm |
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入射角度 |
40°-90°可手动调节，步进5° |
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样品方位调整 |
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样品台尺寸 |
平面样品直径可达Φ170mm |
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最大的膜层范围 |
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最大外形尺寸 |
887 x 332 x 552mm (入射角为90时) |
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仪器重量（净重） |
25Kg |
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选配件 |
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软件 |
ETEM软件： |
注：(1)精度：是指对标准样品上同一点、同一条件下连续测量25次所计算的标准差。
性能保证：
技术文档
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仪企号
北京赛凡光电仪器有限公司
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