测试对象: 

 单晶硅、多晶硅太阳电池
测量项目：

• 光谱响应

• 外量子效率

• 内量子效率

• 短路电流密度

• 光谱反射率

• 表面均匀度等
  

技术参数：

1、光谱范围：300-1100nm；

2、扫描间隔：≥1nm连续可调（限整数）；

3、扫描方式：全自动；

4、短路电流密度重复性：<0.3%；

5、工作模式：交流模式；

6、斩波频率调整范围：5-1000Hz；

7、可选温控台：温控范围5-40℃（±0.5℃）。