自动接触检查
常规测试和加强软件
自动电容补偿
三终端FET电流瞬态测量
大电容和浓度范围
灵活性高、模块化硬件
支持各种冷却仓和温度控制器
傅里叶转换(F-DLTS),比例窗口和用户自定义校正功能
DLTFS(深层瞬态傅里叶光谱仪)评价
C-DLTS
CC-DLTS
I-DLTS
DD-DLTS
Zerbst-DLTS
O-DLTS
FET-Analysis
MOS-Analysis
ITS(等温瞬态光谱仪)
缺陷分析
俘获截面测量
I/V, I/V(T)理查森标绘图
C/V, C/V(T)
TSC/TSCAP
PITS(光子诱导瞬态谱)
DLOS(特殊系统)
Constant Capacitance
Optical Excitation
Fast Pulse Interface
±100 V Option
Multi Sample Interface
HERA-DLTS
高能分辨率深能级瞬态谱(DLTS)
PhysTech在1990年推出了第一台数字DLTS,随着电脑技术的发展,使得在短时间内进行复杂计算成为可能。在纯指数发射过程模型的基础上,用各种数学模型分析测量到的瞬态过程,如傅里叶转换、拉普拉斯转换、多指数瞬态拟合、ITS(等温瞬态光谱)信号重叠法、温度扫描信号重叠法(重折叠)。与其他系统相比,HERA-DLTS具有无法比拟的能量分辨率。
半导体的掺杂浓度、缺陷能级位、界面态(俘获界面)是研究半导体性质的重要手段。此设备根据半导体P-N 结、金-半接触结构肖特基结的瞬态电容(△C~t)技术和深能级瞬态谱(DLTS)的发射率窗技术测量出的深能级瞬态谱,是一种具有很高检测灵敏度的实验方法,能检测半导体中微量杂质、缺陷的深能级及界面态。通过对样品的温度扫描,可以给出表征半导体禁带范围内的杂质、缺陷深能级及界面态随温度(即能量)分布的DLTS 谱。
特点:
操作模式:
规格:
分辨率: | 1*108 atoms/cm3 |
脉冲发生器 | |
电压范围: | ±20.4V(±102opt.) |
电压分辨率: | 0.625mV |
最大电流: | >±15mA |
脉冲宽度: | 1μs-1000s |
快速脉冲选配 | |
电容表 | |
HF信号: | 100Mv@1MHz(20mV optional) |
范围[pF]: | 3,30,300,3000(自动或手动) |
电容补偿: | 0.1-3000 pF(自动或手动) |
灵敏度: | 0.01 fF |
电压测量 | |
范围: | ±10V |
灵敏度: | <1μV |
输入电阻: | 106Ohm |
可提供偏压补偿: | |
电流测试 | |
范围: | 5,从±1μA 到±10mA |
灵敏度: | <1pA |
可提供漏电保护 | |
瞬态记录 | |
样品速率: | 2μs到2000s |
样品数量: | 16-16384(opt.64k) |
可调节抗失真滤膜 | |
标准冷却仓 | |
温度范围: | 15K-450K或77K~800K |
温度扫描方式: | 使用28个不同的相关功能(软件)通过一次温度扫描,给出28个温度扫描信号。 |
典型性能(Schottky Diode,Reverse Bias Capacitance 100pF@OV) | |
灵敏度: | 10-7 |
能量精度: | HT+/-3% |
能量分辨率: | 10meV |
发射率: | 10-3/s |
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