详细介绍
产品规格描述:
TMR2505线性磁传感器采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,属于多维MDT线性磁传感器系列产品。TMR2505线性磁传感器包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件,TMR2505线性磁传感器可感应垂直于芯片表面的磁场。当外加磁场沿垂直于TMR2505线性磁传感器表面方向变化时,惠斯通全桥提供差分电压输出。在-55℃~+150℃范围内, TMR2505线性磁传感器的敏感度和失调电压可保持在一个稳定的水平,性能优越。授权于晶圆电子国内**dai理商。TMR2505线性磁传感器采用两种封装形式: TO94和SSIP4。
产品特性
隧道磁电阻(TMR)技术
高灵敏度
低功耗
优越的温度稳定性
极低的磁滞
宽工作电压范围
典型应用
磁力计
电流传感器
位置传感器
产品优势
采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个非屏蔽高灵敏度TMR磁传感器元件,可感应垂直于芯片表面的磁场。当外加磁场沿垂直于芯片表面方向变化时,惠斯通全桥提供差分电压输出。
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仪企号北京晶圆电子有限公司
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