采用独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器 敏感方向变化时,惠斯通全桥提供差分电压输出,并且该输出具有良好的温度稳定性。
采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个非屏蔽高灵敏度TMR磁传感器元件,可感应垂直于芯片表面的磁场。当外加磁场沿垂直于芯片表面方向变化时,惠斯通全桥提供差分电压输出。
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