EVG 850 LT
Automated Production Bonding System for SOI and Direct Wafer Bonding
EVG 850LT SOI和直接晶圆键合的自动化生产键合系统
自动化生产键合系统,适用于多种融合/分子晶圆键合应用
晶圆键合是SOI晶圆制造工艺以及晶圆级3D集成的一项关键技术。借助用于机械对准SOI的EVG850 LT自动化生产键合系统和具有LowTemp™等离子活化的直接晶圆键合,融合了熔合的所有基本步骤-从清洁,等离子活化和对准到预键合和IR检查-。因此,经过实践检验的行业标准EVG850 LT确保了高达300 mm尺寸的无空隙SOI晶片的高通量,高产量生产工艺。
特征
利用EVG的LowTemp™等离子激活技术进行SOI和直接晶圆键合
适用于各种融合/分子晶圆键合应用 ;生产系统可在高通量,高产量环境中运行
盒到盒的自动操作(错误加载,SMIF或FOUP); 无污染的背面处理
超音速和/或刷子清洁; ; 机械平整或缺口对齐的预粘合
先进的远程诊断技术数据
晶圆直径(基板尺寸)100-200、150-300毫米
全自动盒带到盒带操作
预粘接室
对齐类型:平面到平面或凹口到凹口
对准精度:X和Y:±50 µm,θ:±0.1°
结合力:zui高5 N
键合波起始位置:从晶圆边缘到 灵活
真空系统:9x10-2 mbar(标准)和9x10-3 mbar(涡轮泵选件)
LowTemp™等离子激活模块
2种标准工艺气体:N2和O2,以及2种其他工艺气体:高纯度气体(99.999%),稀有气体(Ar,He,Ne等)和合成气(N2,Ar和H4含量zui高)
通用质量流量控制器:zui多可对4种工艺气体进行自校准,可对配方进行编程,流速zui高可达到20.000 sccm
真空系统:9x10-2 mbar(标准)和9x10-3 mbar(涡轮泵选件),高频RF发生器和匹
配单元:清洁站;清洁方式:冲洗(标准),超音速喷嘴,超音速面积传感器,喷嘴,刷子(可选); 腔室:由PP或PFA制成
清洁介质:去离子水(标准),NH4OH和H2O2(zui大)。 2%浓度(可选)
设备咨询电话:182 6326 2536(微信同号)
Automated Production Bonding System for SOI and Direct Wafer Bonding
EVG 850LT SOI和直接晶圆键合的自动化生产键合系统
自动化生产键合系统,适用于多种融合/分子晶圆键合应用
晶圆键合是SOI晶圆制造工艺以及晶圆级3D集成的一项关键技术。借助用于机械对准SOI的EVG850 LT自动化生产键合系统和具有LowTemp™等离子活化的直接晶圆键合,融合了熔合的所有基本步骤-从清洁,等离子活化和对准到预键合和IR检查-。