详细介绍
功率器件静态测试仪igbt测试设备特点和优势:
单台Z大3500V输出;
单台Z大1000A输出,可并联后Z大4000A;
15us的超快电流上升沿;
同步测量;
国标全指标的自动化测试;
可定制夹具;
nA级电流和uΩ级电阻测量;
测试项目
集电极-发射极电压Vces,集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
输入电容、输出电容、反向传输电容
续流二极管压降Vf
I-V特性曲线扫描,C-V特性曲线扫描等
测试夹具
针对市面上不同封装类型的硅基功率半导体,IGBT、SiC、MOS、GaN等产品,普赛斯提供
整套测试夹具解决方案,可用于T0单管,半桥模组等产品的测试。
普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备,产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU)的第三代半导体功率器件静态参数测试方案,为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段,实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和分析。如果您对功率器件静态测试仪igbt测试设备感兴趣,欢迎随时联系我们
产品优势
普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备,产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU)的第三代半导体功率器件静态参数测试方案,为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段,实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和分析,功率器件静态测试仪igbt测试设备就找普赛斯仪表
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武汉普赛斯仪表有限公司
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