基于数字源表的纳米材料高温原位表征及测试方案

通过MEMS芯片在原位样品台内对样品构建精细热场自动调通过MEMS芯片在原位样品台内对样品构建精细热场自动调控及反馈测量系统，并结合TEM/SEM研究材料在不同热场条件下发生结构相变、形貌变化、物性变化以及电性变化等关键信息。

测试面临的挑战：

传统的二线制电阻测量方式容易引入附加误差，降低MEMS芯片控温的晶准度。材料测试所能承受的电流超小，低至nA甚至pA，测试设备需要具备小电流的测量能力。

普赛斯S/P系列源表为原位表征提供晶准热场控制及电性能测量:
标配四线制测量端口;
提供多个电流量程，量程越低，精度越高;
蕞低1pA电流分辨率，源测精度高达0.03%。基于数字源表的纳米材料高温原位表征及测试方案认准普赛斯仪表咨询，

普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备，产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU）的第三代半导体功率器件静态参数测试方案，为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段，实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和分析。如果您对普赛斯功率半导体器件静态参数测试方案和国产化高精度源表感兴趣，欢迎随时联系我们！