详细介绍
设备简介
PS-200单靶磁控溅射镀膜机主要由真空室、磁控靶、旋转基片架、真空系统、机架、电器控制等几大部分组成。可用来制备导电膜、金属膜、介质膜、半导体膜、绝缘膜、多层膜等。设备结构紧凑,占地面积小适合高校实验室及科研院所。
环境要求
供电:AC220V,功率≥20KVA
独立地线:<3Ω,从设备到地线连接建议采用≥10mm2 的扁平铜线
供水:流量≥10L/min 水温0~25℃
室温:<30℃
相对湿度:<75%
高纯氩气
室内无腐蚀易燃、易爆、有毒气体,无大的尘埃。
技术参数
真空室尺寸(内径X高) | Ф200×200mm |
极限真空 | 2X10-4 Pa |
恢复工作真空 | 从大气抽至8X10-4 Pa,≤40min |
工作真空 | ≤6X10-1Pa |
升压率 | ≤8X10-1Pa/h |
基片架旋转速度 | 2~20rpm可调 |
靶-片距 | 80~120mm |
真空系统 | 分子泵:FF63/80 型 62 L/S |
机械泵:TRP-12型 3L/S | |
总功率 | 20KVA |
设备占地尺寸 | 800X800 |
产品优势
PS-200单靶磁控溅射镀膜机主要由真空室、磁控靶、旋转基片架、真空系统、机架、电器控制等几大部分组成。可用来制备导电膜、金属膜、介质膜、半导体膜、绝缘膜、多层膜等。设备结构紧凑,占地面积小适合高校实验室及科研院所。
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