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武汉能带科技有限公司
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- 品牌：ALPHALAS
- 型号：UPD
- 产地：欧洲 德国
- 供应商报价：面议
| 品牌: | ALPHALAS | 型号: | UPD |
所有探测器都由紧凑坚实的过氧极化铝外壳封装，供电方式可以采用电池或外接电源。是可提供从170到1100 nm扩展到紫外光谱范围高速硅探测器商业产品。另一种类型独特的紫外线敏感的InGaAs 探测器，可用于检测从350到1700纳米范围内的激光脉冲，因此具有最宽的光谱范围和最高的响应速度。
Alphalas超快光电探测器UPD阻抗匹配和微波技术结合，确保测量的脉冲波形的保真度。用户可以自由使用50Ω的匹配电阻，进行highest响应速度的检测。或为获得大的信号响应曲线，加入高阻抗负载。保证了UPD产品为不同的应用提供max的灵活性。 结合BBA系列宽带高增益放大器，高速光探测器对于取代昂贵和繁琐的雪崩光电二极管是一个选择。UPD的系列高速光电探测器是激光和光子学研究的不可缺少的工具。
特点：
1.Alphalas超快光电探测器UPD可超高速运行
2.上升时间：15 ps - 500ps
3.带宽：最高达25 GHz
4.光谱范围：170 - 2600纳米
5.紧凑封装
6.电池或外部电源
7.自由空间光入射或FC/PC型
8.接头或光纤尾纤
应用：
1.脉冲形式测量
2.脉冲宽度测量
3.精确的同步
4.模式变化监控
5.外差测量
新的UPD型号：快速的上升时间及更宽的光谱范围
1.UPD-15-IR2-FC: 超快InGaAs光电探测器，上升时间<15ps，带宽>25 GHz，光谱范围800 - 1700 nm, 光纤耦合输入， FC/APC口。
2.UPD-35-IR2-P, UPD-35-IR2-D: 超快 InGaAs 光电探测器,上升时间 < 35 ps, 带宽 > 10 GHz, 光谱范围 800 - 1700 nm, 光面或漫反射的入射窗。
3.UPD-35-UVIR-P, UPD-35-UVIR-D: 超快 InGaAs PIN 光电探测器, 上升时间 < 35 ps, 带宽 > 10 GHz, 光谱范围 350 - 1700 nm, 光面或漫反射的入射窗。
4.UPD-50-SP, UPD-50-SD, UPD-50-UD, UPD-50-UP: 超快 Si 光电探测器, 上升时间 50 ps, 下降时间 50 ps, 带宽 > 7 GHz, 光谱范围 170 - 1100 nm or 320 - 1100 nm, 光面或漫反射的入射窗。
5.UPD-100-IR1-P: 超快 Ge 光电探测器, 上升时间 < 100 ps, 脉宽 (FWHM) 300 ps, 光谱范围 400 - 2000 nm。
6.UPD-3N-IR2-P: 超快 InGaAs 光电探测器, 延伸到 2.1 µm, 上升时间 150 ps。
7.UPD-5N-IR2-P: 超快 InGaAs 光电探测器, 延伸到2.6 µm,上升时间 200 ps。
其他UPD型号及详细参数，请联系德国Alphalas代理商武汉能带科技有限公司咨询。
UPD Series • Available Models | ||||||||||
型号 | 上升时间(ps) | 带宽 (GHz) | 光谱范围 (nm) | 量子效率 @峰值 | 光敏面积(Dia. µm / mm2) | 噪声相对功率(W/√Hz) | 暗电流 (nA) |
材料 | 光输入 / 窗片类型 | RF输出接口 |
UPD-15-IR2-FC | < 15 | > 25 | 800 - 1700 | 75% | Fiber, 9 µm | 1.0 × 10-¹⁵ | 0.1 | InGaAs | Fiber w. FC/APC ⁵⁾ | SMA |
UPD-30-VSG-P | < 30 | > 10 | 320 - 900 | 40% | 200×200 / 0.04 | 3.0 × 10-¹⁵ | 0.1 | GaAs | Polished, glass | SMA |
UPD-35-IR2-P | < 35 | > 10 | 800 -1700 | 80% | 55 / 0.0024 | 1.0 × 10-¹⁵ | 0.3 | InGaAs | Polished, glass | SMA |
UPD-35-IR2-D | < 35 | > 10 | 800 -1700 | 80% | 55 / 0.0024 | 1.0 × 10-¹⁵ | 0.3 | InGaAs | Diffuse, quartz | SMA |
UPD-35-IR2-FR | < 35 | > 10 | 800 -1700 | 80% | 55 / 0.0024 | 1.0 × 10-¹⁵ | 0.3 | InGaAs | FC/PC receptacle ⁵⁾ | SMA |
UPD-35-IR2-FC | < 35 | > 10 | 800 -1700 | 80% | Fiber, 9 µm | 1.0 × 10-¹⁵ | 0.3 | InGaAs | Fiber w. FC/APC ⁵⁾ | SMA |
UPD-35-UVIR-P | < 35 | > 10 | 350 -1700 | 80% | 55 / 0.0024 | 1.0 × 10-¹⁵ | 0.3 | InGaAs ⁴⁾ | Polished, MgF₂ | SMA |
UPD-35-UVIR-D | < 35 | > 10 | 350 -1700 | 80% | 55 / 0.0024 | 1.0 × 10-¹⁵ | 0.3 | InGaAs ⁴⁾ | Diffuse, quartz | SMA |
UPD-40-VSI-P | < 40 | > 8.5 | 500 - 1690 | 40% | 200×200 / 0.04 | 3.0 × 10-¹⁰ | 5000 | InGaAs | Polished, glass | SMA |
UPD-40-IR2-P | < 40 | > 8.5 | 800 - 1700 | 80% | 60 / 0.0028 | 1.1 × 10-¹⁵ | 0.5 | InGaAs | Polished, glass | SMA |
UPD-40-IR2-D | < 40 | > 8.5 | 800 - 1700 | 80% | 60 / 0.0028 | 1.1 × 10-¹⁵ | 0.5 | InGaAs | Diffuse, quartz | SMA |
UPD-40-IR2-FR | < 40 | > 8.5 | 800 - 1700 | 80% | 60 / 0.0028 | 1.1 × 10-¹⁵ | 0.5 | InGaAs | FC/PC receptacle ⁵⁾ | SMA |
UPD-40-IR2-FC | < 40 | > 8.5 | 800 - 1700 | 80% | Fiber, 9 µm | 1.1 × 10-¹⁵ | 0.5 | InGaAs | Fiber w. FC/APC ⁵⁾ | SMA |
UPD-40-UVIR-P | < 40 | > 8.5 | 350 - 1700 | 80% | 60 / 0.0028 | 1.1 × 10-¹⁵ | 0.5 | InGaAs ⁴⁾ | Polished, MgF₂ | SMA |
UPD-40-UVIR-D | < 40 | > 8.5 | 350 - 1700 | 80% | 60 / 0.0028 | 1.1 × 10-¹⁵ | 0.5 | InGaAs ⁴⁾ | Diffuse, quartz | SMA |
UPD-50-SP | < 50 | > 7.0 | 320 - 1100 | 45% | 100 / 0.0079 | 1.2 × 10-¹⁵ | 0.001 | Si | Polished, glass | SMA |
UPD-50-SD | < 50 | > 7.0 | 320 - 1100 | 45% | 100 / 0.0079 | 1.2 × 10-¹⁵ | 0.001 | Si | Diffuse, quartz | SMA |
UPD-50-UP | < 50 | > 7.0 | 170 - 1100 | 45% | 100 / 0.0079 | 1.2 × 10-¹⁵ | 0.001 | Si ⁴⁾ | Polished, MgF₂ | SMA |
UPD-50-UD | < 50 | > 7.0 | 170 - 1100 | 45% | 100 / 0.0079 | 1.2 × 10-¹⁵ | 0.001 | Si ⁴⁾ | Diffuse, quartz | SMA |
UPD-70-IR2-P | < 70 | > 5.0 | 800 - 1700 | 80% | 80 / 0.005 | 2.0 × 10-¹⁵ | 0.8 | InGaAs | Polished, glass | SMA |
UPD-70-IR2-D | < 70 | > 5.0 | 800 - 1700 | 80% | 80 / 0.005 | 2.0 × 10-¹⁵ | 0.8 | InGaAs | Diffuse, quartz | SMA |
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