光电探测器

Dus 420系列深度制冷科学级光谱CCD基于1024*255规格CCD芯片，包含背感光（BV），紫外增强，前感光，开放电极（OE）深耗尽（Deep Depleton）等不同的选项，来满足不同的实验需

Dus 401系列深度制冷科学级光谱CCD基于1024*127规格CCD芯片，包含背感光（BV），前感光，深耗尽（Deep Depleton）等不同的选项，来满足不同的实验需求。采用ZL的真空密封技术

H334系列ICCD采用高品质二代或三代像增强器，集成1024*1024规格的科学级CCD。是现在更受欢迎的成像型ICCD。iStar系列光谱ICCD是目前高端科研市场上应用广泛的带有时间闸门的增强型

适合于高阻抗（RD>25KΩ）的探测器 型号 PA-7 噪声电压(μV, p-p) 1.5 输出电压范围(V) ±10 输入偏流(nA) ±0.001

碲镉汞探测器（HgCdTe） • 液氮制冷型红外探测器，波长范围：2~22μm • 有DT-MCT(x)-De和 DT-MCT11-HS两种类型， 其中： • DT-MCT(x)-De为液氮制冷型，

• 锑化铟探测器（InSb）• 液氮制冷型红外探测器，波长范围：1～5.5μm• 有DT-InSb5-De(x)和DInSb5-HS两种类型，其中：• DT-InSb5-De(x)为液氮制冷型，x-

砷化铟探测器（InAs）———近红外探测器 波长 范围：1-3.8μm • DT-InAs3800和DInAs3800-TE两种型号，其中： • DT-InAs3800内装进口常温型探测元件； •

硫化铅探测器（PbS） • 常温型红外探测器,波长范围：0.8-3.2μm • DT-PbS2900/3200两种型号，两种探测器室的外观相同（内带前置放大器），其中： • DT-PbS2900内装

818-BB 系列偏置光电探测器是颇具成本效益的 诊断工具，适合多种高速应用，例如查看调 Q、 锁模或快速调制激光器的信号以及皮秒激光器对 准。 • 硅、紫外硅、GaAs 和 InGaAs 版本 •

DT-InGaAs1650型内装国产InGaAs元件• DT-InGaAs1700-R03M型内装进口InGaAs元件• DT-InGaAs2600-R03M型内装进口大面积InGaAs元件 型号/

TE制冷型铟镓砷探测器DT-InGaAs(x)-TE 具有相同的外观设计，其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600，均采用进口二级制冷铟 镓砷探测元件。 型号/参数

室温型探测器• 使用范围：200-1100nm• 两种型号的探测器室的外观相同，其中：• DT-Si200型内装进口紫敏硅光电探测器• DT-Si300型内装进口蓝光增强型硅光电探测器 ​技术指标＼

• 侧窗式，具有电、磁、光屏蔽• 可匹配光谱仪、样品室等• 通过标准BNC插头输出信号• 通过专用耐高压BNC插头输入稳定高压• 可内置多种型号的侧窗型光电倍增管• 电流输出模式• 电压输出模式可供