光刻胶

IoN 100WB-40Q是我们Z新推出的具有高性价比的真空等离子去胶设备。它来源于IoN 100-40Q，IoN 100WB-40Q延续了同样的品质保障，包括可选压力控制器、光谱终点检测器等丰富配置...

PMMA（聚甲基丙烯酸甲酯）是一种通用的聚合材料，适用于许多成像和非成像微电子系统。PMMA光刻胶是将PMMA聚合物溶解在诸如苯甲醚之类的安全溶剂中，曝光会导致聚合物链断裂。PMMAZ常用作直写式电子...

ZEP530A是一种非化学放大型正型电子束光刻胶，具有优异的分辨率和耐干蚀刻性以及宽的工艺参数。

PMGI&LOR光刻胶可在数据存储、无线IC和MEMS等各种应用中实现高产量，金属剥离工艺。 在双层光刻胶层使用时，PMGI和LOR将工艺范围扩展到单层光刻胶层所能达到的范围之外，包括高分辨率...

MicroChem SU-8光刻胶是一种基于环氧SU-8树脂的环氧型的、近紫外负性光刻胶，该系列光刻胶性能优良，主要用于厚衬底上需要高深宽比时的应用。可对近紫外线（365nm）照射进行光成像，形成的固...

Futurrex 刻蚀工艺负性光刻胶NR7-250P NR9-1000P.

Futurrex 厚胶负性光刻胶NR5-8000 NR26-12000P

AZ ®111 XFS光刻胶对所有的表面均有着优异的粘附性能。该光刻胶的起源可追溯到1964年的AZ ®111，它是Z早用于通用接触式印刷用途的商业正性光刻胶之一。同时AZ®111XFS（AZ® 11...

AZ ® ECI 3000系列是现代Z先进的一种正性光刻胶系列。

AZ ® 4500系列（AZ ® 4533和AZ ® 4562）是正性厚光刻胶，在普通湿法蚀刻和电镀工艺中具有优良的粘附性能.

AZ®40 XT的应用始于15-30 µm，在这个厚度范围时，由于N2脱气和再水化延迟时间，使用常规正性光刻胶的光刻工艺变得非常耗时，而AZ®40 XT可以避免这个问题 。即使对于非常大的光刻胶膜厚度...

TFP 650 F5 光刻胶适用于对附着力要求及蚀刻条件要求苛刻的旋涂和挤压涂层条件的应用。

AZ®nLOF 5110是一种薄的高分辨率负型光刻胶，具有很高的热稳定性。该光刻胶用于单层剥离工艺以及RIE蚀刻或离子注入，并且与基于TMAH的显影剂兼容。使用标准的曝光、烘烤、显影等工艺流程可得到理...

AZ®125 nXT是一种交联的负性光刻胶，膜厚度可达100 µm，甚至更高（可实现1 mm的光刻胶膜厚度），具有标准的参数和非常陡峭的侧壁。 AZ®125 nXT具有高稳定性和优异的附着力，使其非常...

德国Allresist 电子束光刻胶（电子束抗蚀剂）E-beam resist 电子束正胶：PMMA 胶，PMMA/MA 聚合物， LIGA 用胶等。 电子束负胶：高分辨率电子束负胶，化学放大胶（高...

E-Beam 电子束光刻胶 ：HSQXR-1541-006, Z520, PMMA, 。EBL6000系列，Ma-N2400系列。纳米压印胶：mr-NIL 6000E, mr-L 900M, mr-...