检测宽禁带材料上的缺陷,包括直径50mm~200mm的SiC和GaN(衬底和外延)
支持多种不同的晶圆厚度
检测颗粒、划痕、裂纹、污渍、凹坑、凸起、KOH腐蚀、掉落物、表面三角形缺陷和胡萝卜缺陷、基平面位错、堆叠层错、晶界、位错和其他宏观外延缺陷
衬底质量控制
衬底供应商比较
入厂晶圆质量控制 (IQC)
出厂晶圆质量控制 (OQC)
CMP(化学机械抛光工艺)/抛光工艺控制
晶圆清洗工艺控制
外延工艺控制
衬底与外延相关分析
外延反应设备供应商比较
工艺设备监控
SiC和GaN功率器件
其他高端化合物半导体器件
SECS-GEM
信号灯塔
金刚石划片器
校准标准片
离线软件
光学字符识别 (OCR)
光致发光
详细介绍
产品介绍
Candela 8520检测系统采用专 利光学技术,可以同时测量两个入射角度的散射信号。它还能够自动检测并捕获表面反射、表面形貌变化、相位变化和光致发光信号,并对各种关键缺陷(DOI)进行分类。Candela 8520可以为GaN晶圆提供表面和光致发光缺陷检测,对GaN晶体缺陷、凹坑和孔洞进行检测和分类,并可用于GaN外延设备缺陷控制。功率器件应用包括SiC透明晶圆的晶体缺陷和表面缺陷的检测和分类,其中包括BPD(基平面位错)、微管、堆叠层错、晶界、位错,以及三角形缺陷、胡萝卜缺陷、掉落物缺陷和划痕等形貌缺陷。
主要功能
应用案例
工业用途
系统选项
产品优势
Candela 8520第二代集成式光致发光(PL)和表面缺陷检测系统专为SiC和GaN衬底和外延晶圆缺陷进行高级表征而设计。使用统计工艺控制(SPC)方法的自动化晶圆检测可显降低因衬底和外延缺陷而导致的良率损失,Z大限度地减少金属有机化学气相沉积(MOCVD)反应设备的工艺偏差,并增加MOCVD反应设备的正常运行时间。
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仪企号
科磊半导体设备技术(上海)有限公司
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