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晶圆清洗机主要结构特点及工艺流程
发布:那诺—马斯特中国有限公司浏览次数:2595一.产品结构
晶圆清洗机主要结构特点:1、采用三套独立的电脑控制机械臂自动化作业2、采用第三代技术,全面完善的防酸防腐措施,保护到机器每一个角落3、全自动补液技术4、*的硅片干燥前处理技术,保证硅片干燥不留任何水痕5、成熟的硅片干燥工艺,多种先进技术集于一身6、彩色大屏幕人机界面操作,方便参数设置多工艺方式转换
二.产品特点晶圆清洗机具有以下特点:1、械手或多机械手组合,实现工位工艺要求。2、PLC全程序控制与触摸屏操作界面,操作便利。3、自动上下料台,准确上卸工件。4、净化烘干槽,*的烘干前处理技术,工作干燥无水渍。5、全封闭外壳与抽风系统,确保良好工作环境。6、具备抛动清洗功能,保证清洗均匀。7、全封闭清洗均匀。8、全封闭外壳与抽风系统,确保良好工作环境。
三、晶圆清洗机工艺流程自动上料→去离子水+超声波清洗+振动筛抛动→碱液+超声波清洗+抛动→去离子水+超声波清洗+抛动→碱液+超声波清洗+抛动→碱液+超声波清洗+抛动→去离子水+超声波清洗+抛动+溢流→去离子水+超声波清洗+抛动+溢流→自动下料
四、晶圆清洗机应用范围1、炉前清洗:扩散前清洗。2、光刻后清洗:除去光刻胶。3、氧化前自动清洗:氧化前去掉硅片表面所有的沾污物。4、抛光后自动清洗:除去切、磨、抛的沾污。5、外延前清洗:除去埋层扩散后的SiO2及表面污物。6、合金前、表面钝化前清洗:除去铝布线后,表面杂质及光胶残渣。7、离子注入后的清洗:除去光刻胶,SiO2层。8、扩散预淀积后清洗:除去预淀积时的BSG和PSG。9、CVD后清洗:除去CVD过程中的颗粒。10、附件及工具的清洗:除去表面所有的沾污物2022-08-18相关仪器 -
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