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- 品牌: 美国那诺-马斯特
- 型号:NDR-4000(A)
- 产地:美国
全自动上下载片,带低温晶圆片冷却和偏压样品台的深硅刻蚀系统,带8“ ICP源。系统配套500L/S抽速的涡轮分子泵,可以使得工艺压力达到几mTorr的水平。在低温刻蚀的技术下,系统可以达到硅片的高深宽...
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- 品牌: 美国那诺-马斯特
- 型号:NRE-4000(ICPM)
- 产地:美国
NRE-4000(ICPM)ICP刻蚀机:是带ICP等离子源和偏压样品台的高速刻蚀系统,系统可以达到高速率、低损伤、高深宽比的刻蚀效果。可实现范围广泛的刻蚀工艺,包括刻蚀III-V化合物(如GaAs,...
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- 品牌: 美国那诺-马斯特
- 型号:NDR-4000(M)
- 产地:美国
NDR-4000(M)DRIE深反应离子刻蚀:是带低温晶圆片冷却和偏压样品台的深硅刻蚀系统,带8“ ICP源。系统配套500L/S抽速的涡轮分子泵,可以使得工艺压力达到几mTorr的水平。在低温刻蚀的...
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- 品牌: 美国那诺-马斯特
- 型号:NRE-4000(ICPA)
- 产地:美国
自动上下载片,带ICP等离子源和偏压样品台的高速刻蚀系统,系统可以达到高速率、低损伤、高深宽比的刻蚀效果。可实现范围广泛的刻蚀工艺,包括刻蚀III-V化合物(如GaAs,InP,GaN,InSb)、I...
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ICP及DRIE刻蚀系统解决方案
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ICP等离子刻蚀系统应用
全自动ICP等离子刻蚀系统:自动上下载片,带ICP等离子源和偏压样品台的高速刻蚀系统,系统可以达到高速率、低损伤、高深宽比的刻蚀效果。可实现范围广泛的刻蚀工艺,包括刻蚀III-V化合物(如GaAs,I...
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ICP等离子刻蚀系统应用
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ICP及DRIE刻蚀系统产品文章
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一文读懂ICP刻蚀技术
ICP刻蚀技术电感耦合等离子体刻蚀(ICP,Inductively Couple Plasma)刻蚀工作原理是:用高频火花引燃时,部分Ar工作气体被电离,产生的电子和氩离子在高频电磁场中被加速,它们与...
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RIE刻蚀之NRE-4000型RIE-HCP系统
NANO-MASTER NRE-4000 型RIE-HCP系统,用于高速刻蚀硅、SiO2和Si3N4基片,通过配套HCP高密度中空阴极等离子源,系统可以支持RIE和RIE-HCP 应用,提供广泛的应用...
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一文读懂ICP刻蚀技术
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仪企号那诺—马斯特中国有限公司
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