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- 品牌: 美国那诺-马斯特
- 型号:NLD-4000(ICPM)
- 产地:美国
ALD原子层沉积可以满足准确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积,这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响,所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统...
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- 品牌: 美国那诺-马斯特
- 型号:NLD-3500(A)
- 产地:美国
ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积,这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响,所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统...
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- 品牌: 美国那诺-马斯特
- 型号:NLD-3000
- 产地:美国
NLD-3000原子层沉积系统:ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积,这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响,所以在ALD原子层沉积中有...
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- 品牌: 美国那诺-马斯特
- 型号:NLD-4000(M)
- 产地:美国
NLD-4000(M)原子层沉积系统:ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积,这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响,所以在ALD原子层沉...
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- 品牌: 美国那诺-马斯特
- 型号:NLD-4000(ICPA)
- 产地:美国
NLD-4000(ICPA)全自动PEALD系统:ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积,这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响,所以在A...
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- 品牌: 美国那诺-马斯特
- 型号:NLD-4000(A)
- 产地:美国
NLD-4000(A)全自动原子层沉积系统:ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积,这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响,所以在ALD原...
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ALD原子层沉积系统解决方案
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ALD原子层沉积技术应用
ALD设备:ALD原子层沉积可以满足膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积,这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响,所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会...
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ALD原子层沉积技术应用
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ALD原子层沉积系统技术资料
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ALD 原子层沉积
ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积,这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响,所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统...
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ALD 原子层沉积
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ALD原子层沉积系统产品文章
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ALD技术在GaN功率器件上的优势
氮化镓(GaN) 是由氮和镓组成的一种半导体材料,因为其禁带宽度大于2.2eV,又被称为宽禁带半导体材料。宽禁带半导体材料有着更高得多的临界雪崩击穿场强,较高的热导率。基于宽禁带半导体材料的电力电子器...
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一文读懂ALD原子层沉积技术
概述:原子层沉积(Atomic layer deposition)是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。原子层沉积与普通的化学沉积有相似之处。但在原子层沉积过程中,新一层原子膜的...
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ALD技术在GaN功率器件上的优势
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