储存器芯片测试设备系统方案说明

　　随着元器件行业的飞速发展，储存器芯片测试设备也取得不菲的发展，那么，用户对于储存器芯片测试设备了解多少呢？

　　为达到简化测试步骤、减小测试的复杂度、提高测试效率、降低测试成本，储存器芯片测试设备实现在同一平台下完成所有上述存储器芯片的方便快捷地测试。储存器芯片测试设备根据上述各种存储器独自的读写时序访问特性，通过灵活编程特性，适当地调整外部总线时序，实现基于外部总线访问各种存储器读写时序的准确操作。

　　储存器芯片测试设备40位NAND FLASH与NIOSII 通过ABUS（FPGA）桥接，把外部总线的时序完全转换成NAND FLASH的操作时序。40位NAND FLASH芯片品由五个独立的8位NAND FLASH芯片拼接构成。5个8位器件的外部IO口拼接成40位的外部IO口，而各自的控制线（NCLE，NALE，NRE，NWE）连接在一起构成一组控制线（NCLE，NALE，NRE，NWE），片选相互独立引出成NCS0-NCS9，忙信号独立引出为R/B0-R/B9。储存器芯片测试设备SRM模块与NIOSII通过ABUS连接，实现正确的时序读写操作。测试时，一次只测试8位，分5次完成所有空间的测试。

　　储存器芯片测试设备是利用无锡冠亚制冷加热控温优势生产研发的，在性能方面采用高配置参数更加有利于储存器芯片测试设备运行。（本文来源网络，如有侵权，请联系删除，谢谢。）