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- 小丑咯咯哒 2012-12-22 00:00:00
- 1、穿透性:超声波可以穿透物体,可以在液体、固体、气体中传播,在钢中可以传递数十米 2、反射特性:超声波遇到声阻抗不一致的界面会发生反射,从而可检测缺陷或者界面。 3、指向性:超声波发射后具有一定的指向性,从而可以预测缺陷的方向和部位。 4、干涉、衍射、叠加:相控阵超声检测仪利用了这些特性,实现了超声波角度的改变和焦点的改变。 供参考
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- 吉时利半导体器件C-V特性测试方案
交流C-V测试可以揭示材料的氧化层厚度,晶圆工艺的界面陷阱密度,掺杂浓度,掺杂分布以及载流子寿命等,通常使用交流C-V测试方式来评估新工艺,材料, 器件以及电路的质量和可靠性等。比如在MOS结构中, C-V测试可以方便的确定二氧化硅层厚度dox、衬底 掺杂浓度N、氧化层中可动电荷面密度Q1、和固定电 荷面密度Qfc等参数。
C-V测试要求测试设备满足宽频率范围的需求,同时连线简单,系统易于搭建,并具备系统补偿功能,以补偿系统寄生电容引入的误差。
进行C-V测量时,通常在电容两端施加直流偏压,同时利用一个交流信号进行测量。一般这类测量中使用的交流信号频率在10KHz到10MHz之间。所加载的 直流偏压用作直流电压扫描,扫描过程中测试待测器件待测器件的交流电压和电流,从而计算出不同电压下的电容值。
在CV特性测试方案中,同时集成了美国吉时利公司源表(SMU)和合作伙伴针对CV测试设计的专用精 密LCR分析仪。源表SMU可以输出正负电压,电压 输出分辨率高达500nV。同时配备的多款LCR表和 CT8001 直流偏置夹具,可以覆盖 100Hz~ 1MHz 频 率和正负200V电压范围内的测试范围。
方案特点:
★包含C-V(电容-电压),C-T(电容-时间),C-F (电容-频率)等多项测试测试功能,C-V测试可同时支持测试四条不同频率下的曲线
★测试和计算过程由软件自动执行,能够显示数据和 曲线,节省时间
★提供外置直流偏压盒,偏压支持到正负200V, 频率范围 100Hz - 1MHz。
★支持使用吉时利24XX/26XX系列源表提供偏压
测试功能:
电压-电容扫描测试
频率-电容扫描测试
电容-时间扫描测试
MOS器件二氧化硅层厚度、衬底掺杂浓度等参数的计算
原始数据图形化显示和保存
MOS电容的 C-V 特性测试方案
系统结构:
系统主要由源表、LCR 表、探针台和上位机软件组成。 LCR 表支持的测量频率范围在0.1Hz~ 30MHz。源表 (SMU)负责提供可调直流电压偏置,通过偏置夹具盒 CT8001加载在待测件上。
LCR 表测试交流阻抗的方式是在 HCUR 端输出交流电 流,在 LCUR 端测试电流,同时在 HPOT 和 LPOT 端 测量电压值。电压和电流通过锁相环路同步测量,可 以精确地得到两者之间的幅度和相位信息,继而可以推算出交流阻抗参数。
典型方案配置:
系统参数:
下表中参数以 PCA1000 LCR 表和 2450 源表组成的 C-V测试系统为例:
安泰测试已为西安多所院校、企业和研究所提供吉时利源表现场演示,并获得客户的高度认可,安泰测试将和泰克吉时利厂家一起,为客户提供更优质的服务和全面的测试方案,为客户解忧。
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- 吉时利半导体分立器件I-V特性测试方案
半导体分立器件是组成集成电路的基础,包含大量的 双端口或三端口器件,如二极管,晶体管,场效应管等。 直流I-V测试则是表征微电子器件、工艺及材料特性的 基石。通常使用I-V特性分析,或I-V曲线,来决定器 件的基本参数。微电子器件种类繁多,引脚数量和待 测参数各不相同,除此以外,新材料和新器件对测试 设备提出了更高的要求,要求测试设备具备更高的低 电流测试能力,且能够支持各种功率范围的器件。
分立器件I-V特性测试的主要目的是通过实验,帮助工 程师提取半导体器件的基本I-V特性参数,并在整个工 艺流程结束后评估器件的优劣。
随着器件几何尺寸的减小,半导体器件特性测试对测 试系统的要求越来越高。通常这些器件的接触电极尺 寸只有微米量级,这些对低噪声源表,探针台和显微 镜性能都提出了更高的要求。
半导体分立器件I-V特性测试方案,泰克公司与合作 伙伴使用泰克吉时利公司开发的高精度源测量单元 (SMU)为核心测试设备,配备使用简便灵活,功能 丰富的CycleStar测试软件,及稳定的探针台,为客户提供了可靠易用的解决方案,极大的提高了用户 的工作效率。
吉时利方案特点:
丰富的内置元器件库,可以根据测试要求选择所需要的待测件类型;
测试和计算过程由软件自动执行,能够显示数据和曲线,节省了大量的时间;
稳定的探针台,针座分辨率可高达0.7um,显微镜放大倍数高达x195倍;
可支持同时操作两台吉时利源表,可以完成三端口器件测试。
测试功能:
二极管特性的测量与分析
极型晶体管BJT特性的测量与分析
MOSFET场效应晶体管特性的测量与分析
MOS 器件的参数提取
系统结构:
系统主要由一台或两台源精密源测量单元(SMU)、 夹具或探针台、上位机软件构成。以三端口MOSFET 器件为例,共需要以下设备:
1、两台吉时利 2450 精密源测量单元
2、四根三同轴电缆
3、夹具或带有三同轴接口的探针台
4、三同轴T型头
5、上位机软件与源测量单元(SMU)的连接方式如下图所示,可以使用LAN/USB/GPIB中的任何一个接口进行连接。
系统连接示意图:
典型方案配置:
西安某高校现场演示图
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- 泰克吉时利助力材料电学特性参数测试
泰克及旗下吉时利品牌,提供各类材料电参数测试方案,包括:
1、电输运特性测试,量子材料、超导材料、半金属材料、异质结构材料,物性表征测试方案
2、新一代高速存储单元及类脑计算、神经元网络测试方案:
忆阻器测试方案
半浮栅器件测试方案
MOSFET器件测试方案
类脑计算/神经元网络测试方案
3、微机电系统MEMS 测试方案
4、宽禁带材料测试方案
5、纳米结构材料测试方案
纳米材料测试方案概述
纳米材料微小电阻测试方案
纳米发电测试方案
二维/石墨烯材料电阻率测试方案
6、薄膜类及表面材料的电阻率测试方案
7、绝缘材料电性能表征测试方案
材料测试平台主要提供材料电学特性的测试方案。电学特性是许多材料研究的ZD,常见的测试参数:
包括电阻率,方阻,载流子浓度,载流子迁移率等
常用的测试方法是四探针法,范德瓦尔堡法,霍尔效应。
推荐设备:
现场演示图:
安泰测试致力于电子电力测试测量行业十一年,和泰克吉时利厂家建立了密切稳定的合作关系,立足西北,服务全国的广大客户,公司具备专业的技术支持和选型能力,为客户提供产品选型、方案定制、仪器销售、租赁、维修、培训等一站式服务。
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