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电容-电压(C-V)测量广泛用于测量半导体参数，尤其是MOS CAP和MOSFET结构，C-V 测试可以方便的确定二氧化硅层厚度dox、衬底掺杂浓度N、氧化层中可动电荷面密度Q1、和固定电荷面密度Qfc等参数。

C-V测试方法

进行 C-V 测量时，通常在电容两端施加直流偏压，同时利用一个交流信号进行测量。一般这类测量中使用的交流信号频率在10KHz 到10MHz 之间。所加载的直流偏压用作直流电压扫描，扫描过程中测试待测器件待测器件的交流电压和电流，从而计算出不同电压下的电容值。

C-V测试系统

LCR表与待测件连接图

MOS电容的C-V测试系统主要由源表、LCR 表、探针台和上位机软件组成。LCR 表支持的测量频率范围在 0.1Hz~30MHz。源表(SMU) 负责提供可调直流电压偏置，通过偏置夹具盒CT8001 加载在待测件上。以PCA1000LCR表和吉时利2450源表组成的C-V 测试系统为例，可以满足精确测量的要求：

吉时利2450系统级应用优势

吉时利2450型触摸屏数字源表是一款集I—V特性测试、曲线追踪仪和半导体分析仪功能于一体的低成本数字源表。吉时利2450丰富的功能也让它非常适合集成到自动测试系统中：

●嵌入式测试脚本处理器 (TSP)：它将完整的测度程序加载到仪器的非易失性存储器，无需依赖外部PC控制器，产能更高。

●TSP-Link通信总线：支持测试系统扩展，实现多台2450仪器和其他基于TSP技术仪器的系统拓展，拓展的测试系统最多可连接32台2450，在一台主仪器的TSP控制下进行多点或多通道并行测试。

●兼容的2400工作模式：除了2450 SCPI工作模式， 2450还支持2400 SCPI工作模式，并兼容现有的2400 SCPI程序。这保护了用户的软件投资，避免仪器升级换代所带来测试软件的转换工作。

●PC连接和自动化：后面板三同轴电缆连接端口、仪器通信接口（GPIB、USB 2.0和LXI/Ethernet）、D型9针数字I/O端口（用于内部/外部触发信号及机械臂控制）、仪器安全互锁装置及TSP-Link连接端口简化多仪器测试系统的集成。

安泰测试作为泰克吉时利长期合作伙伴，专业提供设备选型和测试方案的提供，为西安多家企业和院校提供吉时利源表现场演示，并获得客户的高度认可，如果您想了解吉时利源表更多应用方案，欢迎访问安泰测试网。

交流C-V测试可以揭示材料的氧化层厚度，晶圆工艺的界面陷阱密度，掺杂浓度，掺杂分布以及载流子寿命等，通常使用交流C-V测试方式来评估新工艺，材料， 器件以及电路的质量和可靠性等。比如在MOS结构中， C-V测试可以方便的确定二氧化硅层厚度dox、衬底 掺杂浓度N、氧化层中可动电荷面密度Q1、和固定电 荷面密度Qfc等参数。

C-V测试要求测试设备满足宽频率范围的需求，同时连线简单，系统易于搭建，并具备系统补偿功能，以补偿系统寄生电容引入的误差。

进行C-V测量时，通常在电容两端施加直流偏压，同时利用一个交流信号进行测量。一般这类测量中使用的交流信号频率在10KHz到10MHz之间。所加载的 直流偏压用作直流电压扫描，扫描过程中测试待测器件待测器件的交流电压和电流，从而计算出不同电压下的电容值。

在CV特性测试方案中，同时集成了美国吉时利公司源表（SMU）和合作伙伴针对CV测试设计的专用精 密LCR分析仪。源表SMU可以输出正负电压，电压 输出分辨率高达500nV。同时配备的多款LCR表和 CT8001 直流偏置夹具，可以覆盖 100Hz~ 1MHz 频 率和正负200V电压范围内的测试范围。

方案特点：

★包含C-V（电容-电压），C-T（电容-时间），C-F （电容-频率）等多项测试测试功能，C-V测试可同时支持测试四条不同频率下的曲线

★测试和计算过程由软件自动执行，能够显示数据和 曲线，节省时间

★提供外置直流偏压盒，偏压支持到正负200V， 频率范围 100Hz - 1MHz。

★支持使用吉时利24XX/26XX系列源表提供偏压

测试功能：

电压-电容扫描测试

频率-电容扫描测试

电容-时间扫描测试

MOS器件二氧化硅层厚度、衬底掺杂浓度等参数的计算

原始数据图形化显示和保存

MOS电容的 C-V 特性测试方案

系统结构：

系统主要由源表、LCR 表、探针台和上位机软件组成。 LCR 表支持的测量频率范围在0.1Hz~ 30MHz。源表 (SMU)负责提供可调直流电压偏置，通过偏置夹具盒 CT8001加载在待测件上。

LCR 表测试交流阻抗的方式是在 HCUR 端输出交流电 流，在 LCUR 端测试电流，同时在 HPOT 和 LPOT 端 测量电压值。电压和电流通过锁相环路同步测量，可 以精确地得到两者之间的幅度和相位信息，继而可以推算出交流阻抗参数。

典型方案配置：

系统参数：

下表中参数以 PCA1000 LCR 表和 2450 源表组成的 C-V测试系统为例：

安泰测试已为西安多所院校、企业和研究所提供吉时利源表现场演示，并获得客户的高度认可，安泰测试将和泰克吉时利厂家一起，为客户提供更优质的服务和全面的测试方案，为客户解忧。

近期有很多用户在网上咨询I-V特性测试， I-V特性测试是很多研发型企业和高校研究的对象，分立器件I-V特性测试可以帮助工程师提取半导体器件的基本I-V特性参数，并在整个工艺流程结束后评估器件的优劣。

I-V特性测试难点：

种类多

微电子器件种类繁多，引脚数量和待测参数各不相同，此外，新材料和新器件对测试设备提出了更高的要求，要求测试设备具备更高的低电流测试能力，且能够支持各种功率范围的器件。

尺寸小

随着器件几何尺寸的减小，半导体器件特性测试对测试系统的要求越来越高。通常这些器件的接触电极尺寸只有微米量级，这些对低噪声源表，探针台和显微镜性能都提出了更高的要求。

I-V特性测试方案： 

针对I-V 特性测试难点，安泰测试建议可采用keithley高精度源测量单元（SMU）为核心测试设备，配备使用简便灵活、功能丰富的 CycleStar 测试软件，及稳定的探针台。

图：系统配置连接示意图

测试功能：

这是一个简单易用的I-V特性测试方案，无论对于双端口或三端口器件，如二极管、晶体管、场效应管都很适用。

• 二极管特性的测量与分析

• 双极型晶体管 BJT 特性的测量与分析

• MOSFET 场效应晶体管特性的测量与分析

• MOS器件的参数提取 

吉时利源表简介及热门型号推荐：

吉时利源表将数字万用表 (DMM)、电源、实际电流源、电子负载和脉冲发生器的功能集成在一台仪器中。通过吉时利源表进行分立器件 I-V 特性测试时，支持同时操作两台吉时利源表，轻松完成三端口器件测试。此外，因为吉时利源表兼顾高精度和通用性，广泛适用于教育、科研、产业等众多行业。

安泰测试作为泰克吉时利长期合作伙伴，为多家院校，研究所提供了I-V特性测试方案，并提供了吉时利源表现场演示，如果您也有相关应用，欢迎关注安泰测试网。

电阻率是决定半导体材料电学特性的重要参数，为了表征工艺质量以及材料的掺杂情况，需要测试材料的电阻率。

四探针法是目前测试半导体材料电阻率的常用方法，因为此法设备简单、操作方便、测量精度高且对样品形状无严格要求。

四探针法操作规范：要求使用四根探针等间距的接触到材料表面；在外边两根探针之间输出电流的同时，测试中间两根探针的电压差；通过样品的几何参数，输出电流源和测到的电压值来计算得出电阻率。

1、 四探针法测试系统需要哪些设备？

四探针法测试系统结构

今天给大家介绍的四探针法测试系统主要由吉时利源表、四探针台和上位机软件组成。四探针可以通过前面板香蕉头或后面板排线接口连接到源表上。

2、 吉时利源表为何能被应用于四探针法呢？

吉时利源表智能触屏界面提供I-V示图功能

很多工程师都选吉时利公司开发的高精度源表，源于它能够简化测试连接，得到准确的测试结果。吉时利源表既可以在输出电流时测试电压，也可以在输出电压时测试电流。输出电流范围从皮安级到安培级可控，测量电压分辨率高达微伏级。吉时利源表支持四线开尔文模式，因此很适合四探针法测试。这里配置的是吉时利2400系列的源表（2450/2460）。

3、四探针法测试方案能带来哪些好处？

读数便捷：系统提供上位机软件，内置电阻率计算公式，符合国标硅单晶电阻率测试标准，测试结束后直接从电脑端读取计算结果，方便后续数据的处理分析

精度高：提供正向/反向电流换向测试，可以通过电流换向消除热电势误差影响，提高测量精度值

适用性强：四探针头采用碳化钨材质，间距 1 毫米，探针位置稳定。采用悬臂式结构，探针具有压力行程。针对不同材料的待测件，提供多种不同间距，不同针尖直径的针头选项

灵活性好：探针台具备粗/细两级高度调整，细微调整时，高度分辨率高达 2 微米，精密控制探针头与被测物之间的距离，防止针头对被测物的损害

误差更小：载物盘表面采用绝缘特氟龙图层，降低漏电流造成的测试误差

以上内容由西安安泰测试整理，如想了解吉时利源表更多应用，欢迎咨询安泰测试网。

太阳能产业的成长增加了对太阳能电池测试和测量解决方案的需求，尤其是太阳能性能的测试显得尤为重要。太阳能电池从研发到生产，每个环节都有不同的测试需求，其光电特性包括伏安I-V特性、光谱响应SR特性和量子效率QE特性，其中I-V特性分析对推导有关太阳能电池性能的重要参数至关重要，主要包括ZD电流Imax和电压Vmax、开路电压Voc、短路电流Isc、填充因子ff以及转换效率η等。

为精确完成太阳能电池I-V特性测试，测试者需要用太阳能模拟器光源在一定距离内辐照到样品上，然后用精密的电学仪器来测量I-V特性曲线，从而得到电池的参数。

无光照时，测量太阳能电池IV特性需提供指定的直流偏压，测得正向偏压时的IV特性曲线；在不加偏压时，用各波长入射光照射测量太阳能电池在不同负载条件下IV特性（多片串联负载特性更明显），测量短路电流Isc、开路电压Voc、ZD功率、ZJ工作电流和电压。吉时利源表2400系列，集电压源、电流源、电压表、电流表和欧姆表一体，提供精密电压源和电 流源以及测量功能，可完全满足太阳能电池IV特性测试需求。

光谱响应SR是评价太阳能电池光电转换能力指标。提供各波长入射光，接收到入射光后转换成的电流与入射光能量之比即为光谱响应SR，吉时利源表2400系列可JZ测量光电流完成SR电流特性测试。

一般电源只提供第1象限和第3象限操作，作为源放出能量，吉时利源表2400系列可以提供完整的四象限运行，当工作在第2和第4象限时，可以作为阱（负载）吸收能量，在源或阱模式下能测量电压、电流和电阻。

高精密源表是太阳能电池测试中的重要设备，吉时利源表的高精度源测量功能，它集5台仪器的功能于一体，是太阳能电池特性测试的理想选择。如果您想了解吉时利源表更多产品应用欢迎访问安泰测试网。

吉时利功率数字源表2657A为吉时利2600A系列高速、精密源测量单元数字源表系列产品增加了高电压功能。此系列仪器能帮助吉时利客户分析范围更宽的功率半导体器件和材料。2657A内建3,000V、180W源，支持以极低的成本向被测器件输出5倍于接近竞争系统的功率，并且，构建至2657A的精密、高速6位半测量引擎的1fA（飞安）电流测量分辨率满足了下一代功率半导体器件的低漏电要求。

2657A专门做了这些优化：二极管、FETs和IGBTs等功率半导体器件的高压测试应用以及氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等新材料及其它复合半导体材料和器件的特性分析。而且，2657A还适于高速瞬态分析以及在高达3000V的各种电子器件上进行故障测试和漏电测试。

类似于2600A系列的其它产品，2657A提供了极高的灵活性、四象限电压和电流源/负载，外加精密电压计和电流计。2657A在一个全机架机箱中整合了多种仪器功能：半导体特性分析仪、精密电源、真电流源、6位半DMM、任意波形发生器、电压或电流脉冲发生器、电子负载和触发控制器，而且通过吉时利的TSP-Link®技术完全可扩展至多通道、紧同步系统。与功率相对有限的同类竞争方案所不同的是，2657A的源或阱能力高达180W直流功率(±3,000V@20mA，±1500V@120mA)。而且，2657A具有1fA分辨率，甚至在输出3000V高压的同时还能快速、准确地进行亚皮安级电流测量。

数字化或集成测量模式

对于瞬态和稳态特性分析（包括快速变化的热效应）而言，2657A可以选择数字化测量模式或集成测量模式。每种模式由两个独立的模数转换器(ADC)定义：一个用于电流，另一个用于电压，这两个ADC同步工作并在不牺牲测试吞吐量的前提下确保源回读的准确性。数字化测量模式的18bit模数转换器支持1毫秒每点的采样，使用户能同步采样电压和电流瞬时值。反之，竞争方案通常须对多个读数取平均值后得出结果，所以竞争方案的瞬态特性分析速度不够快。基于22bit模数转换器且为整个2600A系列仪器所共有的集成测量模式，优化了2657A在需要高测量准确度和分辨率应用中的操作，确保了下一代功率半导体器件常见的极低电流和极高电压的高精密测量。

强大的测试开发工具

无需安装软件或使用吉时利基于LXI的I-V测试软件工具TSP Express编程就能实现基本的器件特性分析。用户只需将PC连接至LXI LAN端口并用任意支持Java的Web浏览器即能访问TSP Express。测试结果可以用图形方式或列表方式查看，然后导出为电子表格应用的.csv文件。

2657A提供创建测试序列的两种附加工具：测试脚本生成器应用（用于创建、修改、调试、运行和管理TSP脚本）和基于IVI的LabVIEW®驱动程序（简化了将2657A集成至LabVIEW测试序列）。测试脚本生成器应用的新调试功能使测试项目开发更方便并且更有成效。

ACS软件基础版也是元器件特性分析的一个选件。新发布版具有的丰富特性便于分析高电压和大电流元器件。已更新的附带测量库用于支持高压2657A和大电流2651A高功率数字源表的直流和脉冲工作模式。通过测试大多数器件的输入、输出和传输特性，这些测量库支持FETs、BJT、二极管、IGBTs等各种功率器件。一种特殊的“追踪模式”用简单滑动条实现对仪器电压或电流输出的实时控制。

灵活、准确度高的连接和探测方案

2657A能通过兼容现有高压测试应用的标准安全高压(SHV)同轴电缆连接至测试系统的其它仪器。但是，对于需要从测量仪器的小电流测量中实现性能大化的应用而言，吉时利还提供了专门的高压三轴（防漏电）的连接以佳化2657A的测量准确度。

新型8010高功率器件测试夹具选件能连接高达3000V或100A的测试封装高功率器件，可以更安全、更容易地配置包含高电压2657A，一台或两台大电流2651A测量仪器以及多达3台低功率SMU仪器（其它2600A系列仪器或4200-SCS半导体特性分析系统）的器件测试系统。除了标准的香蕉头跳线外，8010的后面板示波器和散热探针端口简化了DUT深入特性分析的系统集成。8010具有完整的安全互锁功能。为防止在发生器件故障时损坏测量仪器，8010的集成保护电路防止2600A系列仪器的较低电压输入端口被2657A输出的高压损坏。而且，独立保护模块简化了多台SMU与第三方探测台、元器件机械手或其它测试夹具的连接。

以上内容由西安安泰测试整理，如果您在吉时利源表选型或者使用过程中有什么问题欢迎咨询安泰测试技术工程师。

如今，消费者要求电子产品更小、更轻、更便宜、功能更强大、运行时间更长。 为了解决这些相互冲突的的需求，研究人员需要开发新材料，使现有设备小型化并提高设备效率。 人们努力降低功耗并提高设备密度和性能，推动了对具有高载流子迁移率的石墨烯和其他二维 (2-D) 固体及有机半导体和纳米级设备的研究。

基于新型电解质和电极材料的GX电池对延长设备工作时间至关重要。 人们还正在研究中旨在使下一代电动汽车更GX更经济的先进燃料电池技术。 对更环保的发电解决方案的渴望促进了对高温超导体及功率转换过程所需功率半导体的研究。 砷化镓 (GaAs)和碳化硅 (SiC) 等材料对未来的电力传输技术至关重要。 材料研究也是提高太阳能电池的转换效率和功率输出的关键。 要提高激光二极管的效率以增强数据传输能力，必须研究新的材料和结构。

超灵敏测量（从测量飞秒级泄漏电流到用于评估高载流子迁移率材料的电阻率的微欧姆级电阻测量）是材料表征应用中的核心。 另一方面，要表征Z新的绝缘体，往往需要进行垓欧级测量。 在 0°K 附近进行的超导体或纳米材料研究需要降低施加的功率水平以防止自热（自热会影响设备或材料的响应或损坏）。 这就要求发出非常低的直流电流或电流脉冲。

吉时利提供了丰富的产品可供客户选择，今天安泰测试就给大家推荐几款广泛应用于材料科学的吉时利产品，希望对大家在选型过程中有所帮助：

吉时利产品因其无与伦比的多功能性受到政府、研究所、院校及研发生产单位的青睐。如果大家在选型中有什么问题，欢迎咨询安泰测试，安泰测试为您提供选型、产品演示、销售、培训、维修等一站式服务。

低阻测量提供了识别随时间变化的电阻要素的好办法。通常，这类测量用于评估器件或材料是否因环境因素（如热量、疲劳、腐蚀、振动等）而降级。对于许多应用而言，这些测量通常低于10Ω。阻值的变化往往是两个触点之间发生某种形式降级的指示。为了评估高功率电阻器、断路器、开关、母线、电缆、连接器及其他电阻元件，通常使用大电流进行低阻测量。

大多数数字多用表(DMM)不具备通过大电流进行低阻测量的能力。可通过数字多用表(DMM)与电源一起进行测量，但为了实现测量过程自动化，这些仪器首先必须集成于系统，然后必须人工计算电阻。

利用源测量单元（SMU）仪器或数字源表仪器，可以简化大电流激励的低阻测量。数字源表仪器能够源和测量电流和电压。吉时利源表2460型大电流数字源表源测量单元（SMU）仪器具有拉/灌大电流并测量电压和电流的灵活性，使之成为测量低阻器件（需要高达7A激励电流）的WM解决方案。2460型仪器可以自动计算电阻，因此无需人工计算。其远程检测和偏移补偿等内建特性有助于优化低阻测量。2460型仪器分辨率小于1mΩ。

通过吉时利源表2460型仪器前面板或后面板端子，均可进行低阻测量，如图1和图2所示。注意，可以分别使用前面板端子或后面板端子，但不能交叉连接混合。

当引线与待测器件(DUT)连接时，注意FORCE LO与SENSE LO与DUT待测器件(DUT)引线一端相连，FORCE HI与SENSE HI与DUT待测器件(DUT)引线另一端相连。检测。连接应当尽量靠近待测电阻。这个4线测量消除了测试引线电阻对测量的影响。

图1给出前面板连接，可以通过额定电流zui大值为7A的4根绝缘香蕉电缆进行连接，如两组吉时利8608型高性能鳄鱼夹测试线组。

图1 进行低阻测量时2460型仪器前面板连接图

图2给出后面板连接，可以通过2460-KIT型螺丝端子连接器套件(2460型仪器包括该套件)或2460-BAN型香蕉测试引线/适配器电缆进行连接。

图2 进行低阻测量时2460型仪器后面板连接

常见的低电阻测量误差源

低电阻测量的误差源有很多种，包括引线电阻、非欧姆接触以及器件加热。

引线电阻   

如图3所示，所有测试引线都具有一定的电阻，某些引线电阻高达数百毫欧。如果引线电阻足够高，可能导致不正确的测量。

热电电压

当电路的不同部分处在不同的温度之下，或者当不同材料的导体互相接触时，就会产生热电动势或热电电压。实验室温度波动或敏感电路附近的气流可能引起测试电路温度梯度变化，可能产生几微伏的热电电压。

非欧姆接触

当接点两端的电位差与流过接点的电流不是线性比例关系的情况下，出现非欧姆接触。非欧姆接触可能发生在由氧化膜形成的低压电路或其它非线性连接中。为了避免非欧姆接触现象，应当选用适当的接点材料，如铟或金。要确保输入端钳位电压足够的高，以避免由于源接点的非线性而产生的问题。为了减少因伏特计非欧姆接触带来的误差，采用屏蔽和适当的接地措施，以降低交流干扰。

器件加热

进行低电阻测量时所使用的电流常常要比进行高电阻测量时所使用的电流大得多。如果测试电流足够高，而使器件的电阻值发生变化时，就要考虑器件的功率耗散问题。电阻器的功率耗散由下式决定：

P = I2R.

从这个关系式可以看出，当电流增加一倍时，器件的功率耗散会增加到4倍。因此，把器件加热效应降至zui低的一个办法是，在保持待测器件（DUT）两端期望电压的同时，尽可能使用zui低的电流。如果电流电平不能降低，可以考虑使用窄电流脉冲而非直流信号。

怎样成功实施低阻、大电流测量

引线电阻和4线（开尔文）方法   

电阻的测量常常使用图3所示的两线方法来进行。我们迫使测试电流流过测试引线和被测电阻（R）。然后仪表通过同一套测试引线来测量电阻两端的电压，并计算出相应的电阻数值。

图3 利用源测量单元（SMU）仪器进行2线电阻测量

两线测量方法用于低阻测量时的主要问题是测量结果中增加了引线的总电阻（RLEAD）。由于测试电流（I）在引线电阻上产生了一个小的、但是很重要的电压降，所以仪表测量的电压（VM）就不会和被测电阻（R）上的电压完全相同，于是产生了相当的误差。典型的引线电阻在1mΩ～10mΩ范围内，所以当被测电阻小于10Ω～100Ω时，就很难用两线测量方法来获得准确的测量结果（取决于引线电阻的数值）。   

由于两线方法的局限性，所以对低阻测量来说，人们一般都喜欢采用如图4所示的四线连接方法（开尔文法）。在这种配置下，迫使测试电流（I）经过一套测试引线流过被测电阻（R）；而待测器件（DUT）两端电压则是通过称为检测引线的第二套引线来测量的。虽然在检测引线中有小的电流流过，但是这些电流在所有实际测量工作中都是可以忽略的。

图4 利用源测量单元（SMU）仪器进行4线电阻测量

由于检测引线电压降可以忽略不计，所以仪表测量出的电压（VM）和电阻（R）上的电压实际上是相同的。这样，就能以比两线方法高得多的准确度来确定电阻的数值。注意，应当把电压取样引线连到尽可能接近被测电阻的地方，以避免在测量中计入测试引线的电阻。

 •热电电压(热电动势)和偏置补偿欧姆法

偏置补偿欧姆法是实现热电动势zui小化的一种技术。如图5a所示，只在测量周期的一部分时间里将源电流加到被测电阻上。当源电流接通时，仪器测量出的总电压包括电阻器上的电压降和热电动势（图5b）。在测量周期的后一半时间内，将源电流关闭。这时仪表测量出的总电压就只是电路中出现的热电动势（图5c）。如果在测量周期的后一半时间内，能够将VEMF准确地测出，就可以从测量周期前一半所测量出的电压中将其减去，这样偏置补偿电压测量结果就成为:

VM = VM1 – VM2

VM = (VEMF + IR) – VEM

FVM = IR

于是，

R = VM / I

同样，我们注意到，该测量过程消除了热电动势项（VEMF）。仪器局限性

即使像源测量单元（SMU）仪器这种可提供高达7A直流电流的仪器在总输出功率方面也具有局限性，这可能影响测量得到的电阻阻值。这个局限性源自设备设计，而且通常取决于设计参数，如仪器内部电源的zui大输出、设备中使用分立器件的安全工作区、仪器内部电路板上的金属线间隔等。有些设计参数受到zui大电流极限的限制，有些设计参数受到zui大电压极限的限制，还有一些设计参数受到zui大功率极限(I×V)的限制。

图6给出2460型仪器在不同工作点的zui大直流电流和zui大功率。例如，源测量单元（SMU）功率包络zui大电流为7A(图中的A点)，zui大电压为100V(D点)。源测量单元（SMU）可以输出地zui大功率是100W，在D点时达到该功率 (1A×100V)。在A点，其功率低于49W。

图5 偏置补偿欧姆方法

图6 2460型大电流源测量单元（SMU）仪器功率包络

以上就是安泰测试为大家介绍的如何利用吉时利源表2460进行大电流进行低阻器件测量，如需了解吉时利产品更多应用案例欢迎访问安泰测试网。

概述：

某一维线性尺度远远小于它的其他二维尺度的材料成为薄膜材料，理论上薄膜材料厚度介于单原子到几毫米，但由于厚度小于100nm的薄膜已经被称为二维材料，因此薄膜材料通常指厚度介于微米到毫米的薄金属或有机物层。

薄膜材料可以分为非电子薄膜材料和电子薄膜材料，非电子薄膜材料需要对其电学特性进行分析，不是本方案针对的对象。电子薄膜又可以分为导电薄膜，介质薄膜，半导体薄膜，电阻薄膜，磁性薄膜，压电薄膜，光电薄膜，热电薄膜，超导薄膜等，表面电阻率是电子薄膜电学性质的重要参数。

电子薄膜材料表面电阻测试：

表面电阻率测试常用方法是四探针法和范德堡法，但对电子薄膜材料，范德堡法很少应用。多数情况下，电子薄膜材料电阻率测试对测试仪器的要求没有二维材料/石墨烯材料高，用源表加探针台即可手动或编写软件自动完成测试。

电子薄膜材料电阻率测试面临的挑战：

●电子薄膜种类多，电阻率特性不同

 需选择适合的SMU进行测试

●被测样品形状复杂，需选择适当的修正参数

厚度修正系数对测试结果的营销F（W/S）

原片直径修正系数对测试结果的营销

温度修正系数对测试结果的影响

●环境对测试结果有影响

利用电流换向测试消除热电势误差

●利用多次平均提高测试精度

需考虑测试成本

吉时利电子薄膜材料测试方案：

1、  通用配置

a.吉时利源表2450/2460/2461

b.四探针台（间距1mm）

c.测试软件（安泰测试系统集成可开发）

2、高阻电子薄膜材料测试方案

a.6221/2182A+6514X2+2000DMM

b.第三方探针台

c.手动或软件编程

方案优势：

1、  不同配置满足不同电子薄膜材料电阻率测试需求

2、  高精度源表，即可手动测试，也可以编程自动测试

3、  高性价比

吉时利源表作为电学测量的常用仪器，在高校和研究所的相关实验室内几乎都能看到，源表集多表合一、配上专业软件可以实现各种定制测量，使用非常广泛。

安泰测试作为泰克吉时利长期合作伙伴，专业提供设备选型和测试方案的提供，为西安多家企业和院校提供吉时利源表现场演示，并获得客户的高度认可，如果您想了解吉时利源表更多应用方案，欢迎访问安泰测试网。

二极管是两端口电子器件，支持电流沿着一个方向流动（正向 偏压），并阻碍电流从反方向流动（反向偏压）。不过，有许多种 类型的二极管，它们执行各种功能，如齐纳二极管、发光二极管（LED）、有机发光二极管（ OLED ）、肖克利二极管、雪崩二极管、光电二极管等。每种二极管的电流电压 (I-V) 特性都有所不同。 无论在研究实验室还是生产线，都要对封装器件或在晶圆上进行二极管I-V测试。

二极管I-V特性分析通常需要高灵敏电流表、电压表、电压源和电流源。对所有分离仪器进行编程、同步和连接，既麻烦又耗时，而且需要大量机架或测试台空间。为了简化测试，缩小机架空间，单一设备，如吉时利 2450 型触摸屏数字源表，成为二极管特性分析的理想选择，因为它能够提供电流和电压的源和测量。2450型仪器可以对不同数量级(从10～11A至1A)的源电压和测量电流进行扫 描，这刚好符合二极管测试需求。这些测试可以通过总系自动进行，也可以通过大型触摸屏轻松实现，用户可以在触摸屏上进行测试设 置，并呈现测试图表。图1给出2450型仪器对红色LED进行测试的电压源和测得的电流，它与仪器输入端的连接采用4线配置。

本应用介绍了怎样利用 2450 型触摸屏数字源表实现二极管I-V特性分析。特别是，介绍了怎样利用仪器前面板的用户界面启动测试、绘制图表并存储测量结果。

二极管I-V测试

通常，二极管参数测试要求能在较宽范围提供电流和电压的源 和测量。例如，从0V到大约1V对正向电压扫描，作为结果的电流 范围从10～12A到1A。不过，实际数量级、I-V测试类型以及提取的参数取决于待测的具体二极管。为了测试LED，用户可能想测试 发光强度，作为应用电流的一个功能，而测试齐纳二极管的工程师可能希望知道在某个测试电流时的“钳位”或齐纳电压。不过，在 各种不同类型的二极管中，有许多测试常见的测试。

图2给出典型二极管的I-V曲线，包括正向区、反向区和击穿区，以及常见的测试点、正向电压(V )、漏电流(I )和击穿电压(V )。正向电压(V )测试涉及在二极管的正常工作范围内提供指定的正向偏置电流，然后测量作为结果的电压降。漏电流(I )测试确定二极管 在反向电压条件下泄漏的电流电平。其测试通过提供指定的反向电 压源，然后测量作为结果的漏电流。在反向击穿电压(V )测试中， 需要提供指定的反向电流偏置源，然后测量作为结果的二极管电压降。

二极管与2450型仪器连接

二极管与2450型仪器的连接如图3所示。

利用4线连接，可以消除引线电阻的影响。当引线与二极管连接时，注意Force HI和Sense HI引线与二极管阳极端相连，Force LO和Sense LO引线与二极管阴极端相连。尽可能使连接靠近二极管，以消除引线电阻对测量准确度的影响。在源或测量大电流或低 电压时，注意这一点特别重要。

当测量低电平电流(<1μA)时，建议使用后面板的三轴同轴连接器和三轴同轴电缆，不再使用前面板的香蕉插孔。三轴同轴电缆具有屏蔽功能，将减少电磁干扰效应，电磁干扰效应可能会干扰读数。 图4给出二极管与2450型仪器后面板三轴同轴连接器连接示意图。

除了使用三轴同轴电缆，还应当把二极管放置在避光的金属 屏蔽箱内。应当采用正确的屏幕和其他低电流测量技术。

通过用户界面生成扫描和绘制图表

通过吉时利源表2450前面板的用户界面，可以轻松实现二极管测试和扫描。只需按几下重要按键，即可生成和浏览I-V曲线。主要包括以下步骤：

生成、执行和浏览I-V曲线的步骤

图5给出1N3595二极管的测量结果，电压扫描范围0V～0.9V， 181个阶跃(步长5mV)。注意，在大型显示屏上绘制的12个量级 电流。只需按压TRIGGER按键，即可重复I-V扫描。

将数据保存至USB闪存

生成的数据可以作为.csv文档保存至USB闪存。只需在仪器 前面板的USB端口插入USB闪存，按压MENU按键，按压DataBuffers，选择正确的数据缓冲区(defbuffer1是默认值)，然后按 压Save to USB。如果您想更改文件名，请键入新的文件名，并按压Enter。按压Yes，证实文件保存。这样，数据就保存至USB 闪存。

如需了解吉时利源表更多应用欢迎访问安泰测试网。

光电二极管是一种将光转换成电流或电压的二极管或光电探测器， 这取决于它是否在光伏 (zero-bi-as）或光电导 ( 反向偏置 ) 模式。当光电二极管是在反向偏置模式下，输出电流与施加在光电二极管结的光强度成正比。因此，光电二极管可以探测到非常柔弱小量的光，具有宽泛的应用范围：包括摄影，光探测器，医学成像仪器和光通信。 当光电二极管反向偏置时，产生的电流为光电流(光获得) 和暗电流(没有光)的组合结果。光电流通常和施加电压成一个恒定函数关系。然而，暗电流则是施加电压引起的微小泄露电流。暗电流是由PN热效应激发的泄露，经常作为温度的函数来测量。光电流和暗电流的测量可以用吉时利源表进行，其能在很大范围内扫描电压和测量电流。

图 1. SMU 源表测量光电二极管 I-V 特性

测量配置：

图 1 显示了吉时利源表2635B 型测量反向偏置光电二极管的光电流。 该仪器可以扫描电压，测量电流，具有 < 1fA 的分辨率。它也可以测量 正向偏置 I-V 特性。在这种情况下，使 Kelvin 连接到 DUT，以防止不 必要的电压下降从而影响测量精度。

图 2：由 吉时利源表2635B 测得基于不同的光感度下 PIN 光电二极管的光电导电流反向偏置电压曲线

吉时利源表2635B广泛应用于激光二极管 (VCSEL) 生产测试、LED 简化的 I/V 检定、IDDQ 测试与待机电流等测试，是广大院校、研究所及研发型企业的“新宠”，安泰测试作为泰克吉时利产品的长期合作伙伴，专业提供设备选型和测试方案的提供及售后维修，如您想了解吉时利源表更多产品应用，欢迎访问安泰测试网。

典型的电池充电/放电测试设置通常包括可编程电源、电子负载、电压表和电流表。这些系统需要众多软件和硬件配置，以实现工作测试台中所有仪器的同步。

数字源表是一种能够源和测量电流和电压的测试仪器。吉时利源表2450和2460具有拉/灌电流以及测量电压和电流的灵活性，使得它们非常适合电池的电流循环方案。利用吉时利源表2450或2460型仪器，用户只需设置一部仪器而非整架设备。因此，吉时利源表 2450或2460可以通过拉电流为电池充电，通过消耗功率为电池放电，并对电压和负载电流进行监控。

测试说明：

对于充电和放电循环， 2450或2460型触摸屏数字源表可以配置为源电压并测量电流。图2给出简化的充电和放电循环电路示意图：

电池充电通常使用恒定电流。利用数字源表可以实现充电，即把它作为电压源，设置电池额定电压，并设置期望的充电电流作为电流限幅。测试开始时，电池电压低于数字源表仪器的电压输出设置。因此，在这个压差作用下，电流立刻达到用户定义的电流限幅。当达到电流限幅时，数字源表仪器就作为恒流源，直到达到设定的电压电平。随着电池完全充电，电流将下降，直到达到零或接近零。为了预防安全隐患或损坏电池，必须注意不要过度充电。
   当电池放电时，数字源表作为阱，因为它消耗电能而不是提供电源。将数字源表仪器电压源设置为低于电池电压，电流限幅设置为放电速率。当输出启用时，电流从电池流入数字源表仪器的高电平端口。因此，电流读数将是负数。放电电流应当保持恒定，直到电池电压下降至数字源表仪器的电压源设定值。

与电池连接

为了建立测试，需将2450或2460型触摸屏数字源表与电池进行连接，如图3所示。将仪器端口与电池进行4线或程控检测连接，以可以消除引线电阻的影响。这样，测得的电池电压尽可能接近其端口电压。

数字源表仪器的Force HI和Sense HI输出端子与电池正极(+)端子相连，其SenseLO和ForceLO输出端子与电池负极(–)端子相连。

当数字源表输出关闭后，确保其设置在高阻抗(High Z)输出关闭状态。选定高阻抗(HighZ)输出关闭状态，当输出关闭时，将开启输出继电器。这将防止输出关闭后电池出现泄漏。要将输出关闭状态设置为高阻抗，首先按压MENU按键，然后选择源设置，在选择高阻抗，按压HOME按键。

自动放电循环

电池的充电和放电循环通常需要几个小时，因此自动化测试非常重要。利用仪器的任何通信接口(GPIB、 USB或以太网)，都可执行测试。程控通信接口的后面板连接位置如图4所示。

吉时利源表2450或2460是对可充电电池的充电和放电循环进行测试的理想工具，因为它具有精确地4象限、高功率输出，能够精确地测量电流和电压。利用单一仪器进行电池测试，不仅简化测试设置，缩短编程时间，而且节省机架空间。

安泰测试作为泰克吉时利长期合作伙伴，专业提供设备选型和测试方案的提供，为西安多家企业和院校提供吉时利源表现场演示，并获得客户的高度认可，如果您想了解吉时利源表更多应用方案，欢迎访问安泰测试网。

半导体分立器件是组成集成电路的基础，包含大量的 双端口或三端口器件，如二极管，晶体管，场效应管等。 直流I-V测试则是表征微电子器件、工艺及材料特性的 基石。通常使用I-V特性分析，或I-V曲线，来决定器 件的基本参数。微电子器件种类繁多，引脚数量和待 测参数各不相同，除此以外，新材料和新器件对测试 设备提出了更高的要求，要求测试设备具备更高的低 电流测试能力，且能够支持各种功率范围的器件。

分立器件I-V特性测试的主要目的是通过实验，帮助工 程师提取半导体器件的基本I-V特性参数，并在整个工 艺流程结束后评估器件的优劣。

随着器件几何尺寸的减小，半导体器件特性测试对测 试系统的要求越来越高。通常这些器件的接触电极尺 寸只有微米量级，这些对低噪声源表，探针台和显微 镜性能都提出了更高的要求。

半导体分立器件I-V特性测试方案，泰克公司与合作 伙伴使用泰克吉时利公司开发的高精度源测量单元 （SMU）为核心测试设备，配备使用简便灵活，功能 丰富的CycleStar测试软件，及稳定的探针台，为客户提供了可靠易用的解决方案，极大的提高了用户 的工作效率。

吉时利方案特点：

丰富的内置元器件库，可以根据测试要求选择所需要的待测件类型；

测试和计算过程由软件自动执行，能够显示数据和曲线，节省了大量的时间；

稳定的探针台，针座分辨率可高达0.7um，显微镜放大倍数高达x195倍；

可支持同时操作两台吉时利源表，可以完成三端口器件测试。

测试功能：

二极管特性的测量与分析

极型晶体管BJT特性的测量与分析

MOSFET场效应晶体管特性的测量与分析

MOS 器件的参数提取

系统结构：

系统主要由一台或两台源精密源测量单元（SMU）、 夹具或探针台、上位机软件构成。以三端口MOSFET 器件为例，共需要以下设备：

1、两台吉时利 2450 精密源测量单元

2、四根三同轴电缆

3、夹具或带有三同轴接口的探针台

4、三同轴T型头

5、上位机软件与源测量单元（SMU）的连接方式如下图所示，可以使用LAN/USB/GPIB中的任何一个接口进行连接。

系统连接示意图：

典型方案配置：

西安某高校现场演示图

安泰测试已为西安多所院校、企业和研究所提供吉时利源表现场演示，并获得客户的高度认可，安泰测试将和泰克吉时利厂家一起，为客户提供更优质的服务和全面的测试方案，为客户解忧。

吉时利源表广泛应用于高校和研发型企业，很多客户在使用吉时利源表时，在进行两端器件测试接线的时候，容易出现错误，今天安泰测试就给大家分享一下吉时利源表三同轴测试两端器件接线的方法，以吉时利源表2600B系列为例：

首先介绍一下263X型源表背板上的三同轴接口构造。

三同轴转成鳄鱼夹的话，三个夹子的颜色对应的是：红色是最内部的芯线。黑色的是中间的一圈，绿色是最外的一圈。对2636的通道上的三个三同轴接口来说，绿色的都是机箱地。所有的测试一定要从Hi进从Lo出才能形成测试回路。

在进行两端器件测试接线的时候，一共有两种方式可以接，一种是需要用到2根三同轴转三鳄鱼夹的线，另一种只需用到一根三同轴线，但在仪器背板上需要做适当短接。

方法1：

两根线，两根线都要接红的。注意看仪器背板的指示。这样是用两根线，通道A中间的那根图示里芯线是Hi, 下面的指示芯线是Lo,所以我们要连这两根线。

方法2：

用一根线，要把中间的跳线用导线把三个口都短接，就把Lo短接到地了，这样，我们就可以接通道A上的中间的红与绿间接测试样品了。

此常见问题适用于： Keithley 2000 系列：配有扫描功能的 6½位万用表， 吉时利源表2600B 系列，如果大家在使用吉时利源表过程中有什么问题，欢迎访问安泰测试网。

无论是在研发实验室还是在生产中，对生物传感器进行快速而准确的特性分析，是检验生物传感器/换能器接口是否合格以及生物检测系统的zui终运行的重要手段。

通常希望对生物传感器的主要部件进行直接的电流-电压(I-V)特性分析。 I-V特性分析的时间只占大多数类型功能测试时间的很小一部分，但却是其正式运行的重要预示。例如， I-V数据可以用来研究异常、定位曲线的zui大或zui小斜率以及及逆行那个可靠性分析。根据设计细节，I-V特性分析往往适合基于电流计、电位计、电导率、电阻和热原理的传感器。

实施I-V特性分析的必备工具之一是源测量单元（SMU）或数字源表源测量单元（SMU）仪器。在I-V特性分析中，由于复杂的触发问题，直流电源和测量仪器的集成可能是有问题的。简言之，源测量单元（ SMU）仪器在一部仪器内实现了精确电源(PPS)能力与高性能数字多用表（DMM）的集成。例如，源测量单元（SMU）仪器在测量电流时可同时起到源或降电压作用，在测量电压时可起到源或降电流的作用。图2给出源测量单元（ SMU）仪器作为恒流源和伏特计的配置，它用于测量待测器件（DUT）的响应。

源测量单元（SMU）仪器作为恒流源和伏特计的配置，用于测量待测器件（DUT） 的响应

源测量单元（ SMU）仪器还可用作独立的恒压源或恒流源、伏特计、安培计和欧姆表，还可用作精密电子负载。其高性能架构还允许将其用作脉冲发生器、波形发生器和自动电流-电压(I-V)特性分析系统。

吉时利2450型数字源表源测量单元（SMU）仪器采用高级电容触摸屏图形用户界面

吉时利源表2450简化了非传统用户的学习曲线，使之从使用多层菜单结构和多功能按钮配置功能的繁琐工作中解脱出来。 2450型仪器使用基于图标的平面菜单系统，就像在智能消费电子产品中使用的菜单系统一样简单，如平板电脑或智能手机上显示的应用图标排列。

吉时利2450屏幕菜单

利用两个2450型数字源表源测量单元（ SMU）仪器可以对生物场效应晶体管（ BioFET）进行特性分析，从而对传感器进行I-V特性分析。确定生物场效应晶体管（BioFET）的I-V参数有助于确保其在预期应用中恰当地发挥作用，并满足性能要求。利用2450型仪器可以进行多种I-V测试，包括栅极泄漏、击穿电压、阈值电压、传输特性以及漏电流。进行测试所需的2450型源测量单元（ SMU）仪器数量取决于需要偏置和测量的场效应晶体管（ FET）端口数。

生物场效应晶体管（BioFET）传感器测试所需设备：

两台吉时利2450型交互式数字源表源测量单元（ SMU）仪器

4根三轴电缆(吉时利7078-TRX-10型号)

金属屏蔽测试夹具或探针台，以及母三轴连接器

三轴三通接头(吉时利237-TRX-T型号)

测试三端BioFET时两部2450型仪器配置

两部2450型仪器生成的典型场效应晶体管（FET）漏系列曲线

吉时利源表广泛应用于低压/电阻，LIV， IDDQ ，I-V特征分析，隔离度与引线电阻,温度系数,正向电压、反向击穿、漏电流 ,直流参数测试,直流电源,HIPOT,介质耐压性等测试，是广大院校、研究所及研发型企业的“新宠”，安泰测试作为泰克吉时利产品的长期合作伙伴，专业提供设备选型和测试方案的提供，并获得客户的高度认可，如您想了解吉时利源表更多产品应用，欢迎访问安泰测试网。

上一期安泰测试为大家分享了吉时利源表2602B在调制输入、正向电压测试、反向击穿电压测试、漏电流测试的应用，那么吉时利源表2602B还能做哪些测试呢？安泰测试为您接着分享：

热敏电阻测试

典型的激光二极管模组中，热敏电阻在25℃下的标称阻值为10kΩ。在常规工作模式中，整个模组的热稳定性要比其jeudui温度值更为关键。

一系列测试热敏电阻的技术如下：

1、维持激光二极管模组的温度在一个已知温度上，简单测量热敏电阻的阻值；

2、将一个特性已经测出的热敏电阻热耦合到激光二极管模组上，使整个组装体达到热平衡，比较特性已知热敏电阻与激光二极管热敏电阻的阻值；

3、在制造过程中，设定一个足以包含激光二极管模组温度的阻值范围。为了避免热敏电阻的自加热效应，需要保持最小的功耗。一般地，提供10μA~100μA的恒定电流，测得的电压用于推导电阻值。

晶圆测试

VCSEL是一种进行晶圆级测试的激光器件。图1示出了片上VCSEL测试的简单测试系统。晶圆探针台通过探针卡与每个器件实现电学连接。探针台也可直接定位器件上的光学探测器。随后，使用单台2602双通道源表进行特性测量。

图1. 2602 VCSEL片上测试典型框图

如果探针卡可以同时与多个器件连接，每次探针卡与晶圆接触，类似于图1所示的系统可以测试片上的所有器件。由于片上器件数量巨大，采用扫描测试方案会非常耗时。对于要求高吞吐量的应用，用多个设备并行进行多个器件的测试往往是不错的测试方案。对于扩展的测试方案，可以参考下面小节中讨论的多路技术以及并行设备配置。

如需了解吉时利源表2602B更多测试应用，欢迎关注安泰测试网，且看下回继续介绍。

Keithley 2600B 系列系统 SMU 仪器是业界标准电流-电压源和测量解决方案，适用于高度自动化生产测试应用。 双通道和单通道型号都紧密集成一个精密电源、真正电流源、数字万用表和具有脉冲生成功能的电子负载。 另外，TSP® 技术可运行完整测试程序，适用于自动化系统应用，TSP-链路®技术允许菊花式链接最多 64 条通道，适用于大容量并行测试。吉时利源表2602B能做哪些测试呢？今天安泰测试给大家分享一下：

调制输入

激光二极管模组常常是配备了调制或衰减控制输入引脚，因而在LIV测试扫描中，可能需要加入2400型或2601型源表对衰减输入端施加偏置。

正向电压测试

正向电压由多子电流流动形成，因而是半导体材料和结温的函数。

正向电压测试可以在激光二极管和背光探测器上进行，用以确定半导体结的正向操作电压。一般地，2602型源表用以提供足够小的源电流（以防器件损伤），然后测量半导体结上的电压。鉴于探测器所用的半导体材料的温度系数一般为2mV/℃，半导体结的温度必须事前获知或进行控制。

反向击穿电压测试

随着反向偏压增加，少子穿过半导体结的速度增加。在一定的反向偏压下，载流子所携带的能量足以通过碰撞引起电离作用。这时的反向偏压称为反向击穿电压。通过很好的控制反向击穿电压下的电流，可以避免半导体结被毁坏。

反向击穿电压测试可以在激光二极管和背光探测器上进行。无损反向击穿电压测试可以通过提供-10μA源电流并测量相应的半导体结电压实现。2602源表是这一测量的理想选择。

漏电流测试

反偏的半导体结（略低于击穿电压的偏置电压下）会出现由少子渡过耗尽区产生的漏电流。漏电流的大小由电子电荷、掺杂浓度、半导体结面积和温度决定。激光二极管和背光探测器的漏电流测试由2602源表系统进行。一般，在半导体结上施加反向击穿电压的80%，然后测量相应的漏电流。

对于光电二极管，这项测试同时可用于暗电流测量。将激光二极管的偏置电压设置到零，通过在半导体结上施加一个电压偏置并测量流过的电流，可得到暗电流的值。在这项测量中，关键在于确保杂散光子不会碰撞到激光二极管或背光探测器上。

吉时利源表2602B还能做哪些测试呢？欢迎大家留言讨论，如需了解吉时利源表更多产品应用，欢迎访问安泰测试网。

数字源表 SMU 仪器可以简化电池测试，因为它们能够同时输出和测量电流和电压。这些仪器可以灵活地输出和接收电流，测量电压和电流，为电池充放测试提供了解决方案。对这一测试，吉时利源表是很多客户的不二选择，源表SMU的端子采用 4 线方式连接到电池上 ( 如图)，以消除引线电阻的影响。

在充放测试中，仪器配置成提供电压，测量电流。尽管仪器配置成提供电压，但它可以在恒定电流模式下运行。（如图）显示了充放测试中简化的电路图。电流通常使用恒定电流充电，因此源表SMU仪器配置成把电压源设置为电池的额定电压，把输出极限设置成希望的充电电流。在测试开始时，电池电压小于仪器的电压输出设置。这种电压差会驱动电流，这个电流直接受到用户自定义的电流极限限制。在电流极限范围内，仪器作为恒定电流源工作，直到达到编程的电压。

在电池放电时，吉时利源表作为接收装置使用，因为它耗散功率，而不是供电。仪器的电压源设置成低于电池电压，电流极限设置成放电速率。在启用输出时，来自电池的电流流入仪器的Hi端子。结果，电流读数将为负。如图显示了2500mAh电池放电特点的测量结果。

吉时利源表广泛应用纳米材料测试、生物化学有机材料测试、器件HALL测试、元器件测试、光电器件测试、半导体霍尔效应测试、高亮度的LED脉宽调制测试等等，吉时利源表完全可编程，还具有较高精度、分辨率和灵活度，备受广大高校、研究所和研发企业的青睐。如果您想了解吉时利源表更多产品信息或者应用方案，欢迎访问安泰测试网。

吉时利源表大家用的多吗？相信很多经常从事电测研究行业的朋友都知道源表是干啥的，而且任何仪器都有自己的使用寿命，那么源表坏了怎么办呢？吉时利源表维修复杂吗？下面请看看西安安泰吉时利源表维修ZX小编为大家分享的这台2611B-L吉时利源表维修案例，希望对大家有帮助！

      客户描述这台吉时利源表故障：烧坏了

　　西安安泰吉时利源表维修ZX工程师对源表检测：仪器仪器有糊味控制板多处组件损坏

　　吉时利源表维修：更换控制板组件，调整检测仪器

       ZZ仪器恢复正常，西安安泰吉时利源表维修ZX已将这台2611B-L吉时利源表及时寄回到了客户方。相信很多人都知道，吉时利源表价格不菲，那么日常怎么避免源表出故障呢？下面请跟着西安安泰吉时利原表维修ZX小编一起看看这些注意事项，希望能帮到大家！

       1.像24XX源表，如果有风机的：请勿堵塞底部进风口，保持良好散热。

　　2.像2410，能输出1KV高压的：高压输出，请确认线缆绝缘良好，勿裸露任何金属部分，注意人生安全。

　　3.像26XX的源表：请注意LAN口和TSP-Link口，不可插错。

　　4.能输出1KV高压的：高压1KV输出，请确认线缆绝缘良好，不能裸露任何导电部分，谨防电击风险。

        以上，就是西安安泰吉时利源表维修ZX小编为大家分享的这台2611B-L吉时利源表维修案例详情以及注意事项，安捷伦示波器DSO90604A直流增益超差维修详情，请持续关注西安安泰维修网，如果您还也有类似的仪器仪表需要维修，可以随时来找西安安泰维修ZX，我们将竭诚为您服务!

吉时利源表满足高性能生产测试、工艺监测、产品开发和研究中电子制造商的专门需求，受到广大客户的青睐。那什么是源表呢？与数字万用表有所区别？吉时利源表有何“与众不同”，能独得客户“恩宠”？

吉时利SourceMeter数字源表系列是专为那些要求紧密结合激励源和测量功能，要求精密电压源并同时进行电流与电压测量的测试应用而设计的。所有源表均由一个精密的、低噪声、高稳定的带回读功能的直流电源和一个低噪声、高重复性、高输入阻抗的5位半多功能表组成，形成了紧凑的单通道直流参数测试仪。相当于电压源、电流源、电压表、电流表和电阻表的综合体。

通信、半导体、计算机、汽车行业的元件与模块制造商都将发现，源表仪器对于各种特征分析与生产过程测试都极具实用价值。

先看一下“数字源表”（SourceMeter）有何独特优势？

根据器件的不同，它可以有各种模拟或数字输入及输出组合，包括一个或更多个电源输入。某些测量需要计数器/定时器、增益/相位计、阻抗分析仪、LCZ仪、频谱分析仪或射频功率计等仪器，但利用数字源表可以很容易地满足或者最适合上述诸多源和测量需求。

对许多测试工程师来说，数字源表是他们仍不熟悉的解决方案。

数字源表优势

能够进行直流I-V测量，向负载（待测器件）施加电压测量通过负载的电流，或者提供电流测量负载上的电压降。无论采用上述哪种方式，都可以采用本地(双线)和远程(四线)电压测量。

数字源表的灵活性

使得它像独立的精密恒流源或恒压源或者单一电压表或电流表一样，很容易使用。源功能提供可编程四象限操作，这意味着它可以作为双极电压和电流，而且可以输出和吸收功率。注意，与许多传统电源不同的是，数字源表可以测量源电流或源电压的实际值，这比依靠设置数值能提供更高的精度。保护电路可以再输出电压源时，限制通过负载的电流，保护待测器件；或者在输出电流源时，限制负载上的电压降，保护待测器件。

数字源表还具有重要的扫描和脉冲能力。

因此，考虑到许多交流测量可以利用脉冲或扫描直流实现，它为多种测试需求提供了一个通用的模拟I/O引脚。对于上面的普通IC实例，这意味着，尽管对当今某些混合信号器件进行全面测试时可能需要额外设备，但一个或多个数字源表往往能够满足所有需求。

与数字万用表相比有何不同？

为了体现这种仪器如何集高精密源与像数字万用表（DMM）一样的测量能力于一体，但实际上，其电压和电流测量能力在许多方面都比同等精度的数字万用表（DMM）更胜一筹。电压表的输入阻抗在各个电压量程范围都大约?10GΩ，但某些数字万用表却不同，其输入阻抗在zui高电压量程则降至10MΩ。这意味着电压表在其整个动态量程的最小负载。相对而言，电流测量则使用反馈式电流表而不采用分流电流表。反馈式电流表的比分流电流表要低得多，这意味着它更像理想的零阻抗电流表。此外，对于电流测量而言，数字源表的动态范围比数字万用表宽得多。

吉时利源表作为电学测量的常用仪器，在高校和研究所的相关实验室内几乎都能看到，源表集多表合一、配上专业软件可以实现各种定制测量，使用非常广泛。如果你也有用到吉时利源表，欢迎访问安泰测试网。