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功率半导体行业

十三年以上知名半导体企业工作经验，曾任职于Infineon（英飞凌）、Nexperia(安世)，对功率半导体行业有着深刻的洞察力。纪要内容功率半导体的分类，第三代半导体材料特性，市场的信息，国际的一些主流的玩家，国内上升趋势非常好的一些公司。

目前的功率半导体器件主要由欧洲、美国、日本三个国家和地区提供，他们凭借先进的技术和生产制造工艺，以及lingxian的品质管理体系，大约占据了70％的市场份额。

而在需求端，约有39％的功率半导体器件产能被ZG大陆所消耗，是Z大的需求大国，但其自给率却仅有10％，严重依赖进口。

功率半导体可以分为三大类，一类是功率集成电路，也就是IC类的功率器件；第二类是功率模组，第三大类是功率分立器件。功率分立器件二极管、三极管，MOSFET,IGBT等。 

功率半导体应用场景有工业应用市场，汽车应用市场，消费类电子应用和无线通讯应用。其中工业应用市场占比Z大。

三代半导体材料将长期共存。diyi代半导体：以硅（Si）和锗（Ge）等元素半导体为代表；第二代半导体：以砷化镓（GaAs）和磷化铟（lnP）等化合物半导体为代表；第三代半导体：以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等宽禁带半导体为代表。第三代半导体材料具有高光效、高功率、高电压、高频率的特性。

在中小功率领域（电压 900V 以下），功率 MOSFET及超节MOSFET 应用Z为广泛。在中大功率领域（电压 1200V-6500V），IGBT 是主流产品，这也是汽车所适用的主流功率器件。在超大功率领域（电压 3.3kV 以上、容量 1-45MW），晶闸管和集成门极换流晶闸管 （IGCT）市场广阔。

近几年功率半导体市场规模一直稳定在 150-200 亿美元的水平，占到 半导体市场规模 5%左右的比例。绝大多数市场被国外厂商垄断，包括英飞凌， TI， NXP，日本瑞萨等，ZG产品还有很大的替代空间，前十名厂商占 有 57%的市场份额。相对于集成电路行业， 分立器件市场集中度更低， 商业 生态壁垒不高。

功率半导体市场中，占比Z大的企业是 infineon，19%；按照产品种类来划分， Z重要的产品是 mosfet 和 IGBT。其他产品，BJT，晶闸管以及二极管等市场 非常分散且价值量较低。根据 IHS 资料，2016 年 MOSFET 占晶体管总市场的 55％，其次是 IGBT 和 BJT 的 30％和 15％的份额。

从Z主要的 IGBT 和 MOSFET 市场来看，Infineon 均为市占率位居diyi的位置。其他公司，包括三菱电机，富士电机，Renesas 和 ST 也占据了较高的市场份额。不同于二极管市场和晶体管市场的高度分散化， IGBT 和 MOSFET 市场由于其技术门槛更高，具备更高的市场集中度。

ZG国内的IGBT市场约占总需求的50%。但目前国内市场份额主要被国际巨头垄断，国产化率只有11%。嘉兴斯达为国内IGBT龙头企业，其产品也有汽车级。目前大陆以扬杰科技、华微电子、士兰微、捷捷微为代表的功率半导体龙头企业市场占有率非常低，进口替代的空间巨大。国内具备一定市场地位的专业车用半导体厂商，比亚迪，江苏宏微相对突出。问答环节问题1：如何看待大陆公司通过收购安世来进军功率半导体领域？未来是否能够追赶上英飞凌等龙头企业？

答：大陆公司来收购一些国外已经成熟的企业，有很多是一些优质资产。个人的角度来看是偏正面的，确实是可以帮助我们的大陆公司加快对这个领域的进军。

安世半导体未来是否能够追赶上英飞凌？首先不是同一个规模的公司。其次安世半导体在他能够涉及的领域，有一些产品是属于diyi梯队的。

问题2：目前的大陆的公立半导体厂商众多，什么样的企业更容易胜出？

答：技术是否lingxian，性价比是否足够高，然后服务、供货稳定性，产品多样性，未来产品及市场布局，等等。这些特质的话会决定企业的竞争力，所以这是一个需要综合多方面去考虑问题。

问题3：评判功率器械的技术指标有哪些？

答：简单来讲主要的几个方向：电压等级，工作频率，工作的功率等。

目前在光伏业界，正在进行一项重大努力，以提高光伏和发光应用中所用半导体的效率并降低相关成本。这就需要探索和开发新的制造和合成方法，以获得更均匀、缺陷更少的材料。

无论是电致还是光致发光，都是实现这一目标的重要工具。通过发光可以深入了解薄膜内部发生的重组过程， 而无需通过对完整器件的多层电荷提取来解决复杂问题。

HERA高光谱照相机是绘制半导体光谱成像的理想设备，因为它能够快速、定量地绘制半导体发射光谱图，且具有高空间分辨率和高光谱分辨率的特性。

硅太阳能电池的电致发光光谱成像

光伏设备中的缺陷会导致光伏产生的载流子发生重组，阻碍其提取并降低电池效率。电致发光光谱成像可以揭示这些有害缺陷的位置和性质。

"反向"驱动太阳能电池（即施加电流）会产生电致发光，因为载流子在电极上被注入并在有源层中重新结合。在理想的电池中，所有载流子都会发生带间重组，这在硅中会产生1100 nm附近的光（效率非常低）。然而，晶体结构中的缺陷会产生其他不利的重组途径。虽然这些过程通常被称为"非辐射"重组，但偶尔也会产生光子，其能量通常低于带间发射。捕获这些非常罕见的光子可以了解缺陷的能量和分布。

在本实验中，我们使用了HERA SWIR (900-1700 nm)，它非常适合测量硅发光衰减。测量装置如图1所示：HERA安装在三脚架上，在太阳能电池上方，连接到一个10A的电源。640×512像素的传感器安装在样品上方75厘米处，空间分辨率约为250微米。

图1. 实验装置

最重要的是，HERA光学系统没有输入狭缝，因此光通量非常高，是测量极微弱光发射的理想选择。

图2.A和2.B显示了两个波长的电致发光（EL）图像：1150 nm（带间发射）和1600 nm（缺陷发射），这是4次扫描的平均值（总采集时间：5分钟）。通过分析这些图像，我们可以看到，尽管缺陷区域的亮度远低于主发射区域，但它们仍被清晰地分辨出来。此外，具有强缺陷发射的区域的带间发射相对较弱。

我们可以注意到有几个区域在两个波长下都是很暗的；这可能是由于样品在运输过程中损坏了电池造成的。

图2.C中以对数标尺显示了小方块感兴趣区域（图2A和2B中所示）的光谱。

图 2.A 和 B：两个选定波长（1150 nm 和 1600 nm）的电致发光（EL）图像。C：A和B中三个不同区域对应的电致发光光谱（图像中的彩色方框）。

金属卤化物钙钛矿薄膜的光致发光显微研究

通过旋涂等技术含量低、成本效益高的方法，可以制造出非常高效的太阳能电池和LED。这些方法面临的一个挑战是在微观长度的尺度上保持均匀的成分。光致发光显微镜是表征这种不均匀性的一个特别强大的工具。

HERA高光谱相机可以连接到任何显微镜（正置或倒置）的c-mount相机端口，并直接开始采集高光谱数据，无需任何校准程序。

图3. 与尼康LV100直立显微镜连接的HERA VIS-NIR。

在本实验中，我们使用HERA VIS-NIR（400-1000 nm）耦合到尼康LV100直立显微镜（图3）来表征两种卤化物前驱体合金的带隙分布。将两种卤化物前驱体合金化的优点是能够调整材料的带隙；然而，这两种成分经常会发生逆混合，从而导致性能损失。

本实验的目的是检测这种逆混合现象：事实上，混合比的局部变化会改变局部带隙，从而导致发射不同能量的光子。

在这种配置中，激发光来自汞灯，通过带通滤光片在350 nm处进行滤光，并通过发射路径上的二向色镜将其从相机中滤除。

HERA的高通量使其能够在大约1分钟的测量时间内收集完整的数据立方体（130万个光谱）。

图4.样品的光谱综合强度图（A：全尺寸；B：放大）。

图4.A和4.B分别显示了所有波长（400-1000 nm）总集成信号的全尺寸和放大图像，揭示了长度尺度在1 µm左右的明亮特征。

当我们比较亮区和暗区的光谱时（图5.B中的黑色和红色曲线），我们发现暗区实际上也有发射， 不仅强度较低，而且波长中心比亮区短。事实上，光谱具有双峰形状，很可能与逆混合前驱体的发射相对应。图5.A的发射图清楚地显示了带隙的这种变化。

我们现在可以理解为什么低带隙区域看起来更亮了--载流子可能从高带隙区域弛豫到那里，并且在发生辐射重组之前无法返回。

图5.A：显示平均发射波长的强度图。B：亮区和暗区的发射光谱（正常化）。

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