ZG在直拉单晶硅方面为什么一上来就直接选用石英坩埚
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大约60年代开始，国产拉晶工艺才开始有所报道，而在选材发面根本找不到文献。我怀疑是不是直接拿国外工艺做的成品。就拿坩埚来说，为什么从diyi篇文献开始就直接选用了石英坩埚。有没... 大约60年代开始，国产拉晶工艺才开始有所报道，而在选材发面根本找不到文献。我怀疑是不是直接拿国外工艺做的成品。就拿坩埚来说，为什么从diyi篇文献开始就直接选用了石英坩埚。有没有用别的坩埚什么的都没提说。有没有业内人士给分析分析 展开
全部评论(1条)
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- 南望闲人y58 2013-07-20 00:00:00
- 你好，石英坩埚是直拉单晶所必须的辅料，目前还没听说过能把石英坩埚代替的，你这个提法够新颖。 由于（1）硅的熔点在1450℃，所以硅液的容器必须熔点必须足够高。（2）直拉单晶硅是原子结构重新排列的过程，高纯卫生至关重要，溶不的一点杂质。石英坩埚的材质是sio2，耐高温、稳定，不会带来其他杂质。就是石英坩埚的o原子也对单晶硅的质量影响很大。（3）外国在搞这些科学研究的时候，ZG还在吾皇万岁呢，所以这些技术都是上世纪50年代引入ZG的，目前的发展来说和人家还有50年的差距！
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- 我公司生产的石英坩埚是采用国际Z先进的生产工艺电弧法生产，半透明状，是拉制大直径单晶硅，发展大规模集成电路必不可少的基础材料。坩埚外侧是一层具有高气泡密度的区域，称为气泡... 我公司生产的石英坩埚是采用国际Z先进的生产工艺电弧法生产，半透明状，是拉制大直径单晶硅，发展大规模集成电路必不可少的基础材料。坩埚外侧是一层具有高气泡密度的区域，称为气泡复合层，内侧则是一层3~5mm的透明层，称之为气泡空乏层。气泡复合层的目的是在与均匀的辐射有加热器所提供的辐射热源。气泡空乏层的目的在于降低与溶液接触区域的气泡密度，而改善单晶生长的成功率及晶棒品质。 喷涂工艺的的增加可以大幅度的改善石英坩埚的使用寿命及长晶良率。同时可以增加石英坩埚的强度，减少高温软化现象，延长使用寿命。 我公司生产的石英坩埚常年供应给塞维等使用，是塞维公司常年合作伙伴。我公司生产的石英坩埚成晶率在80%—85%左右。规格有10、12、14、16、18、20、22吋。 欢迎广大客户联系： jjwking@163.com 展开
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