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三极管测温的范围和精度与什么有关

秋秋つ 2010-12-20 21:26:43 384  浏览
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参与评论

全部评论(5条)

  • TFBOYS柬埔寨 2010-12-28 00:00:00
    小RED ,你的问题的回答情况不给力呀!

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  • wawaaidm 2010-12-21 00:00:00
    据我所知没人用三极管测温!

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  • dbsi33 2010-12-22 00:00:00
    理论上在三极管的标称工作温度内都能达到低精度的测温目的,但随着温度的提高精度会下降,还有就是三极管测温用老式的金封管比较好,温度传导好,像经典老管3DG6。

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  • Gay子桑 2016-12-02 02:49:23
    直接用三极管来测温吗?用三极管作为温度传感器使用? 虽然三极管具有热敏特性,其Ube会随着PN结温度温度的升高而下降,大约-2.5~3mV/℃。但是,用三极管的PN结来测温,既不准确、很难标定,线性也不好。三极管是作为有源放大元件来使用的,在电路中担当放大或开关的角色,而不会用它来测温。建议你使用标准的温度传感器来测温,例如热电阻、热电偶,或集成温度传感器DS18B20,AD590等。

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  • 累累的老巢 2017-09-24 11:55:35
      三极管具有热敏特性,其Ube会随着PN结温度温度的升高而下降,大约-2.5~3mV/℃。但是,用三极管的PN结来测温,既不准确、很难标定,线性也不好。三极管是作为有源放大元件来使用的。 放大原理 1、发射区向基区发射电子 电源Ub经过电阻Rb加在发射结上,发射结正偏,发射区的多数载流子(自由电子)不断地越过发射结进入基区,形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散,但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度,可以不考虑这个电流,因此可以认为发射结主要是电子流。 2、基区中电子的扩散与复合 电子进入基区后,先在靠近发射结的附近密集,渐渐形成电子浓度差,在浓度差的作用下,促使电子流在基区中向集电结扩散,被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子(因为基区很薄)与基区的空穴复合,扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。 3、集电区收集电子 由于集电结外加反向电压很大,这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散,同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子(空穴)也会产生漂移运动,流向基区形成反向饱和电流,用Icbo来表示,其数值很小,但对温度却异常敏感。

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