分子束外延系统影响分子束外延的因素
分子束外延系统为一种在物理学、化学、材料科学领域应用的分析仪器。
近十几年来在半导体工艺中发展起来的一项新技术包括分子束外延技术，其在超高真空条件下，类似于真空蒸发镀把构成晶体的各个组分和予掺杂的原子(分子)，通过一定的热运动速度，根据一定的比例由喷射炉中往基片上喷射去进行晶体外延生长而对单晶膜进行制备的一种方法。简称为MBE法。
分子束外延系统影响分子束外延的因素
1、压力的影响
在10-3帕真空度下，在1秒钟时间内残余气体的单原于层就能够覆盖臂开的表面，如果在10-5到10-7Pa真空条件下臂开并且马上进行蒸镀，那么应当更进一步地降低外延温度，然而通过实验证明，并不是这样，例如M和A在高真空下进行外延蒸镀与在超高真空下进行外延蒸镀，它们的结果的差别并没有很大。但是铜、银和金在超高真空下，使(001)面平行于基片，那么单晶膜的生成就会变得相当困难，这表明对铜、银和金进行外延蒸镀时，还需要对基片表面进行适用的处理。
2、蒸发速度的影响
若对蒸发速度进行降低也会降低碲的外延温度，将金蒸镀外延于氯化钠时，也会降低氯化钠上面的平行方位的蒸发速度，就能够在较低的基片温度下进行晶体外延。
3、外延温度的影响
为了导致外延，基片的温度应当达到某一温度值，那么加热超过外延温度就变得相当有必要。并且外延温度还和其他的条件相关。当条件不一样时，外延温度也会存在差异。
4、基片结晶的臂开的影响
在以往的常规研究方面，基片结晶是在大气下臂开（机械折断使得结晶面产生）之后往真空装置中放入来对外延单晶膜进行制取。晶面如果臂开就马上进行制膜的方法已经被研究了。因为该两种方法有所差异，因此其外延温度也不一样。在真空下臂开基片结晶会导致处延临界温度的值不同。
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