热点应用丨上转换纳米颗粒的光物理性质表征
要点
1
上转换纳米颗粒是由稀土元素组成的纳米颗粒。
2
上转换过程是吸收低能量光子,发射高能量光子的过程。
2
上转换纳米颗粒应用在太阳能、生物医学成像和药物递送等领域。
2
使用FS5荧光光谱仪对上转换纳米颗粒的上转换光谱、寿命和量子产率进行表征。
简介
上转换(UC)过程是将两个或多个较低能量的光子转换为较高能量的光子的过程。上转换纳米颗粒(UCNP),它是由嵌入基质中的铒和镱等稀土元素组成的纳米颗粒。UCNP可将近红外光转换为可见光或紫外区的高能光。
材料与方法
所研究的样品是聚乙烯亚胺(PEI)改性的NaYF4:Yb,Er上转换纳米颗粒(UCNP),其分散在去离子水中,浓度为10 mg/mL。用FS5荧光光谱仪表征UCNP分散体。使用功率为2W波长为980 nm激光器和脉宽控制盒(PM-2)作为CW和脉冲激发光源。FS5配备有PMT-900和PMT-1010两个检测器以及多通道扫描(MCS)模式。光谱范围为200-900 nm的PMT 900用于测试光谱和寿命,而光谱范围扩展到1010 nm的PMT-1010用于测试量子产率。SC-05标准液体支架测试光谱和寿命,SC-30积分球附件测试量子产率。
图1 爱丁堡稳态瞬态荧光光谱仪FS5
上转换光谱
CW模式激发样品,选择PMT-900检测器,得到纳米颗粒的发射光谱(图2)。发射光谱表征了材料中的发射能量跃迁。发射源于多个Yb3+离子(敏化剂)对几个低能量980 nm光子的吸收,这些离子将其能量转移到单个Er3+离子(发射极)。能量传递通过非辐射多离子上转换过程进行。以660 nm为中心的发射峰是Er3+的4F9/2 → 4I15/2跃迁,而521 nm和545 nm处的发射峰分别源自4H11/2 → 4I15/2和4S3/2 → 4I15/2跃迁(图3)。1,2
图2 UCNP的上转换发射光谱
图3 NaYF4:Yb,Er纳米颗粒上转换过程的能级图
上转换寿命
然后测试了653 nm处4F9/2 → 4I15/2跃迁的上转换寿命,如图4所示。将980 nm激光光源设置为脉冲模式,重复频率设置为500 Hz,脉宽设置为10 μs,并使用MCS模式测试上转换寿命。然后使用双指数模型在Fluoracle中拟合衰减曲线,计算出强度平均寿命125 μs。
图4 UCNP的荧光衰减曲线
量子产率
测试量子产率对于评估UCNP产生上转换光的效率至关重要。UCNP通常具有比其本体更低的量子产率。这归因于各种因素,如被禁止的4f–4f跃迁以及结晶度差和表面缺陷等固有问题。4开发具有更高量子产率的UCNPS是一项持续的研究挑战。
为了确定上转换量子产率,使用FS5 SC-30积分球附件。SC?30可即插即用,无需光纤。使用FS5的PMT-1010检测器,PMT-1010至1010 nm的扩展光谱范围能够精确测试980 nm激发散射。在SC-30中分别测试了UCNP样品和去离子水的激发散射和发射光谱。图5为UCNP和去离子水的激发散射和发射光谱。然后使用Fluoracle软件的量子产率分析模块计算量子产率,该分析基于以下公式:
E为发射强度积分,S为散射强度积分。量子产率为0.014%。这种量子产率是上转换材料的典型值,并且与先前的研究一致。4
图5 UCNPs样品和去离子水的散射和发射光谱
结论
本文使用爱丁堡仪器FS5荧光光谱仪对上转换纳米颗粒的上转换发光进行完全表征。FS5灵活可选的光源、检测器和样品支架附件,使上转换光谱、寿命和量子产率能够在单个紧凑型仪器中完成表征。
参考文献
[1]E. MacKenzie, D. Alvarez-Ruiz, & R. Pal, Low-temperature open-air synthesis of PVP-coated NaYF4.
[2]Birch, et al. Influence of polyvinylpyrrolidone (PVP) in the synthesis of luminescent NaYF4.
[3]Qin, et al. Tuning the upconversion photoluminescence lifetimes of NaYF4:Yb3+, Er3+ through lanthanide Gd3+ doping. Sci. Rep. 8, 12683 (2018).
[4]M. S. Jones, A. Gakamsky, & J. Marques-Hueso, The upconversion quantum yield (UCQY): a review to standardize the measurement methodology, improve comparability, and define efficiency standards. Sci. Technol. Adv. Mater. 22, 810–848 (2021).
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