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报告简介Report Abstract

法国Spin-Ion Technologies公司（中文注册名——旋离科技®）开发了一种非常有特色的样品处理技术——对已制备的器件进行He+离子辐照，该技术可以在原子尺度上调控并提升磁性薄膜的磁性能。运用轻离子技术，通过低能量转移，可实现原子间替换的精确控制。其核心是改变微观结构来调控相应的磁学性质。该技术也可以在不需要物理刻蚀的条件下，通过掩模实现磁特性的横向调制。在本次报告中，将会展示一些重要的研究成果，这些成果为利用离子辐射来优化下一代自旋电子器件的性能提供了解决方案，包括精确控制界面各向异性、磁化、DMI、增强畴壁和斯格明子移动，降低SOT器件的临界电流和降低自旋转矩纳米振荡器（STNO）的线宽。

报告将展示最 新的尖 端设备“Helium-S®” 是如何实施上述的技术方案，这是一台体型小巧且快速的He+离子束工具，它能够在1英寸的晶片上提供1-30 keV的离子能量。

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报告时间Time

2022 年 6月 9 日 15:30—16:30 

主讲人介绍
 Speaker

Dafiné Ravelosona博士，致力于实验凝聚态物理的研究，目前是法国国家科学研究中心(CNRS)的研发总监，在巴黎萨克雷大学的“法国巴黎纳米科学与技术中心(C2N)”担任副总监并负责管理纳米电子学部门。他在具有垂直各向异性的磁性薄膜和器件中的畴壁动力学和自旋输运方面，以及使用离子辐照的磁性材料加工和自旋电子器件方面拥有超过20年的研究经验。同时，他也是两家初创公司的创始人，包括2017年成立的Spin-Ion Technologies公司（中文注册名——旋离科技®），他担任CEO-CTO，该公司正在研发一种基于离子束的新型加工工艺，用以提高MRAM材料的结构性能。在这些年间，Dafiné Ravelosona博士共获得了大约10个创新奖项。 

Dafiné Ravelosona博士于1995年在巴黎第七大学获得博士学位。在2004至2005年间，他受邀成为硅谷的日立环球存储科技公司（HGST）研究中心的科学家。期间，他第 一个展示了用极化电流切换垂直纳米磁体这一技术。