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10月28日第十一届ZG国际纳米技术产业博览会（纳博会）于苏州国际博览ZX盛大开幕。纳博会聚焦第三代半导体、纳米新材料、纳米大健康等热门领域，助推产业发展，展会同期共举办了10场专业论坛，众多行业报告，精彩纷呈，不容错过。

半导体产业的蓬勃发展，带动了半导体和新材料检测需求的增长。针对半导体及新材料分析检测的发展现状与需求，胜科纳米（苏州）有限公司联合中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所测试分析平台、苏州纳米科技发展有限公司，于10月29日成功举办了“第三届纳博会分析测试应用研讨会”。赛默飞世尔科技（简称“赛默飞”）应邀参加了本届研讨会，并带来了2场分析检测前沿技术的主题报告。

赛默飞EFA业务拓展经理唐涌耀带来了主题为“静态激光激发产出率及分析的改进”主题报告。基于激光的失效分析技术是许多实验室的主要研究内容，其中，SLS（静态激光调制）——通常被称为OBIRCH（光束诱导电阻变化）——引领了这个领域，因为它可以在给定的静态偏压条件下，直接定位给定电路的电性故障。本次报告ZD讨论了改进的SLS方案的新功能，高分辨率的固体浸没式透镜（SIL），以及其他分析技术，以提高系统分析产出量。

赛默飞产品专家张治忠发表了 “XPS表面分析技术在先进材料和器件表征中的应用”主题报告，他主要介绍XPS表面分析技术在这些现代先进器件的表面化学以及层结构分布如何影响器件的行为表现和性质，以及XPS如何在工程研发中提供解决方案。

赛默飞&胜科纳米电性失效分析主题研讨会

10月28日下午，赛默飞携手胜科纳米举办了一场技术报告结合上机操作的失效分析主题研讨会。活动现场，共邀请到50余位客户面对面探讨电性失效分析技术，深入了解用于半导体的静态光学失效定位Meridian S系统，近距离观看赛默飞技术专家操作Meridian S现场做样。

Meridian S系统

用于半导体失效分析和第三方实验室的静态光学故障隔离解决方案

关键优势

高灵敏度，锁定放大能力，通过故障诊断与有源探针技术，可实现噪声消除的静态激光激发/光束诱导电阻变化(SLS/OBIRCH) 检测。

光子发射选项涵盖了一系列的灵敏度要求，以便定位短路、检测漏电区域和标测活跃区域。

探针设置和软件采用易用、高生产效率设计。

完全可扩展和升级的光学平台。

支持封装部件和晶圆级系统。